一种MoS2量子点的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610250811.6

申请日：

2016-04-21

公开(公告)号：

CN105712404B

公开(公告)日：

2016-06-29

发明(设计)人：

陈心满冀凤振潘雪雪匡鲤萍章勇

申请人：

申请人地址：

510631 广东省广州市中山大道西55号光电子材料与技术研究所

IPC主分类号：

C01G3906

IPC分类号：

代理机构：

广州新诺专利商标事务所有限公司 44100

代理人：

廖晓霞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-18	授权	授权
2021-04-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 39/06 申请日:20160421 授权公告日:20180518 终止日期:20200421
2016-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101671893234 IPC(主分类):C01G 39/06 专利申请号:2016102508116 申请日:20160421
2016-06-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高亮MoS2量子点的制备方法 [P].

阮莉敏 ;

赵艳杰 ;

曾玮 ;

王思亮 ;

赵晋陵 ;

梁栋 .

中国专利 :CN110003902B ,2019-07-12

[2]

基于咔唑功能化的MoS2量子点、制备方法及应用 [P].

石建军 ;

黄垚 ;

庞卫国 .

中国专利 :CN111298833A ,2020-06-19

[3]

一种多形貌微纳米MoS2的制备方法 [P].

邱祥云 ;

张涛 ;

戴作强 ;

曹茹 ;

张洪信 .

中国专利 :CN112225252A ,2021-01-15

[4]

一种抗菌MoS2及其制备方法 [P].

王华林 ;

王鹏飞 ;

张锋 .

中国专利 :CN109566650B ,2019-04-05

[5]

一种玫瑰状MoS2纳米花的制备方法 [P].

吴会杰 .

中国专利 :CN108358245A ,2018-08-03

[6]

一种碳量子点的制备方法 [P].

谷瑶 ;

王美玲 ;

李桂珍 ;

周丽珠 .

中国专利 :CN106497562A ,2017-03-15

[7]

SnSe2量子点的制备方法及SnSe2量子点 [P].

陈思繁 ;

李向阳 ;

赵焕成 ;

朱海鸥 .

中国专利 :CN111849484B ,2020-10-30

[8]

一种荧光碳量子点的制备方法 [P].

李建功 ;

葛霖 ;

任海涛 .

中国专利 :CN106629658A ,2017-05-10

[9]

一种MoS2/CNT复合膜的制备方法和应用 [P].

刘艳彪 ;

刘富强 ;

李方 ;

沈忱思 ;

王致远 ;

郭东丽 ;

任伊凡 ;

靳丽敏 ;

张淑静 ;

伍皖湘 .

中国专利 :CN112892224B ,2021-06-04

[10]

一种具有分级结构的MoS2微纳米球的制备方法 [P].

王开新 ;

韩成良 ;

周正 ;

赵世维 ;

卞正东 .

中国专利 :CN108658128A ,2018-10-16

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