一种高亮MoS2量子点的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910383180.9

申请日：

2019-05-09

公开(公告)号：

CN110003902B

公开(公告)日：

2019-07-12

发明(设计)人：

阮莉敏赵艳杰曾玮王思亮赵晋陵梁栋

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号

IPC主分类号：

C09K1168

IPC分类号：

B82Y2000 B82Y4000

代理机构：

合肥国和专利代理事务所(普通合伙) 34131

代理人：

孙永刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/68 申请日:20190509
2019-07-12	公开	公开
2021-08-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种MoS2量子点的制备方法 [P].

陈心满 ;

冀凤振 ;

潘雪雪 ;

匡鲤萍 ;

章勇 .

中国专利 :CN105712404B ,2016-06-29

[2]

一种Pt/MoS2纳米片的电镀制备方法 [P].

王江丽 ;

汤文 ;

张光振 ;

段宇晨 ;

谢宇 .

中国专利 :CN115029751A ,2022-09-09

[3]

一种少层MoS2纳米片的制备方法 [P].

蔡克峰 ;

唐贵 .

中国专利 :CN106976911B ,2017-07-25

[4]

一种制备少层MoS2纳米片的方法 [P].

邢秋菊 ;

包少魁 ;

熊华萍 ;

占玉霞 ;

邹建平 ;

罗胜联 .

中国专利 :CN104609474A ,2015-05-13

[5]

一种纳米片状MoS2的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111217393A ,2020-06-02

[6]

一种抗菌MoS2及其制备方法 [P].

王华林 ;

王鹏飞 ;

张锋 .

中国专利 :CN109566650B ,2019-04-05

[7]

一种采用片层MoS2制备MoS2/ZnIn2S4纳米片复合材料的方法 [P].

陈亚杰 ;

付宏刚 ;

田国辉 .

中国专利 :CN103331175B ,2013-10-02

[8]

一种二维MoS2纳米片的制备方法 [P].

蒋连福 ;

董文英 .

中国专利 :CN110028103A ,2019-07-19

[9]

一种MoS2/碳纳米片的制备方法 [P].

郑春明 ;

马超 ;

吕霈雨 .

中国专利 :CN110817842A ,2020-02-21

[10]

一种多孔MoS2水凝胶、制备方法及其应用 [P].

付明来 ;

刘攀 ;

苑宝玲 ;

徐垒 ;

陈晨 .

中国专利 :CN113877492A ,2022-01-04

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