氮化物晶体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910683527.1

申请日：

2019-07-26

公开(公告)号：

CN110777433A

公开(公告)日：

2020-02-11

发明(设计)人：

藤仓序章今野泰一郎吉田丈洋

申请人：

申请人地址：

日本茨城县

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B2502

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	公开	公开
2022-12-02	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 29/40 登记生效日:20221121 变更事项:申请人变更前权利人:赛奥科思有限公司变更后权利人:住友化学株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本茨城县变更后权利人:日本东京都变更事项:申请人变更前权利人:住友化学株式会社
2021-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20190726

共 50 条

[1]

氮化物晶体 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

铃木贵征 ;

北村寿朗 ;

藤本哲尔 ;

吉田丈洋 .

日本专利 :CN110777431B ,2024-02-06

[2]

氮化物晶体 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

铃木贵征 ;

北村寿朗 ;

藤本哲尔 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN110777431A ,2020-02-11

[3]

氮化物晶体 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN110777432A ,2020-02-11

[4]

氮化物晶体、半导体层叠物、氮化物晶体的制造方法和氮化物晶体制造装置 [P].

藤仓序章 ;

木村健司 ;

今野泰一郎 .

中国专利 :CN114941177A ,2022-08-26

[5]

氮化物晶体基板 [P].

吉田丈洋 ;

柴田真佐知 .

中国专利 :CN108779579A ,2018-11-09

[6]

制造氮化物半导体晶体的方法、氮化物半导体晶体以及制造氮化物半导体晶体的装置 [P].

佐藤一成 ;

宫永伦正 ;

山本喜之 .

中国专利 :CN102159755B ,2011-08-17

[7]

制造氮化物半导体晶体的装置、制造氮化物半导体晶体的方法和氮化物半导体晶体 [P].

佐藤一成 ;

宫永伦正 ;

山本喜之 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN102131964A ,2011-07-20

[8]

氮化物晶体衬底和氮化物晶体衬底的制造方法 [P].

今野泰一郎 ;

横山正史 ;

藤仓序章 .

日本专利 :CN120138810A ,2025-06-13

[9]

氮化物晶体基板以及氮化物晶体基板的制造方法 [P].

堀切文正 ;

木村健 .

中国专利 :CN110499533A ,2019-11-26

[10]

氮化物晶体衬底的制造方法和氮化物晶体衬底 [P].

今野泰一郎 ;

横山正史 ;

藤仓序章 .

日本专利 :CN119859847A ,2025-04-22

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