氮化物晶体衬底的制造方法和氮化物晶体衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411255957.0

申请日：

2024-09-09

公开(公告)号：

CN119859847A

公开(公告)日：

2025-04-22

发明(设计)人：

今野泰一郎横山正史藤仓序章

申请人：

住友化学株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

C30B29/40 C30B25/16 C25F3/12 C30B33/10

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

朱丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物晶体衬底和氮化物晶体衬底的制造方法 [P].

今野泰一郎 ;

横山正史 ;

藤仓序章 .

日本专利 :CN120138810A ,2025-06-13

[2]

制造氮化物衬底的方法和氮化物衬底 [P].

荒川聪 ;

宫永伦正 ;

樱田隆 ;

山本喜之 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN102137960B ,2011-07-27

[3]

氮化物晶体衬底的制造方法及氮化物晶体层叠体 [P].

吉田丈洋 .

中国专利 :CN107881557B ,2018-04-06

[4]

Ⅲ族氮化物晶体的制造方法、Ⅲ族氮化物晶体衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

弘田龙 ;

上松康二 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101421443B ,2009-04-29

[5]

氮化物晶体、氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件及其制备方法 [P].

石桥惠二 ;

楫登纪子 ;

中畑成二 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN1896343B ,2007-01-17

[6]

氮化物晶体基板以及氮化物晶体基板的制造方法 [P].

堀切文正 ;

木村健 .

中国专利 :CN110499533A ,2019-11-26

[7]

Ⅲ族氮化物晶体衬底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN1942611B ,2007-04-04

[8]

制造Ⅲ族氮化物衬底晶片的方法和Ⅲ族氮化物衬底晶片 [P].

石桥惠二 ;

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101504913A ,2009-08-12

[9]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法 [P].

入仓正登 ;

饼田恭志 ;

中山雅博 .

中国专利 :CN100361323C ,2005-04-06

[10]

制造Ⅲ族氮化物衬底晶片的方法和Ⅲ族氮化物衬底晶片 [P].

石桥惠二 ;

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101106081A ,2008-01-16

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