制造Ⅲ族氮化物衬底晶片的方法和Ⅲ族氮化物衬底晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710111857.0

申请日：

2007-06-20

公开(公告)号：

CN101106081A

公开(公告)日：

2008-01-16

发明(设计)人：

石桥惠二入仓正登中畑成二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

H01L2300 B24B100

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

孙志湧;陆锦华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-16	公开	公开
2014-08-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584407260 IPC(主分类):H01L 21/304 专利号:ZL2007101118570 申请日:20070620 授权公告日:20090506 终止日期:20130620
2009-05-06	授权	授权
2008-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制造Ⅲ族氮化物衬底晶片的方法和Ⅲ族氮化物衬底晶片 [P].

石桥惠二 ;

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101504913A ,2009-08-12

[2]

第III族氮化物衬底的制造方法及第 III 族氮化物衬底 [P].

北村寿朗 ;

柴田真佐知 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN107978509A ,2018-05-01

[3]

III族氮化物衬底 [P].

王明月 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN204905260U ,2015-12-23

[4]

Ⅲ族氮化物单晶锭、Ⅲ族氮化物单晶衬底、制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法及制造Ⅲ族氮化物单晶衬底的方法 [P].

冈久拓司 ;

中畑成二 ;

上村智喜 .

中国专利 :CN101925695A ,2010-12-22

[5]

ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101752240A ,2010-06-23

[6]

Ⅲ族氮化物晶体的制造方法、Ⅲ族氮化物晶体衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

弘田龙 ;

上松康二 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101421443B ,2009-04-29

[7]

Ⅲ族氮化物晶体衬底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN1942611B ,2007-04-04

[8]

Ⅲ族氮化物衬底及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101138833A ,2008-03-12

[9]

III族氮化物复合衬底 [P].

佐藤一成 ;

吉田浩章 ;

山本喜之 ;

八乡昭广 ;

松原秀树 .

中国专利 :CN102906857A ,2013-01-30

[10]

Ⅲ族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101250752A ,2008-08-27

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