Ⅲ族氮化物衬底及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710149727.6

申请日：

2007-09-05

公开(公告)号：

CN101138833A

公开(公告)日：

2008-03-12

发明(设计)人：

石桥惠二入仓正登中畑成二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号

IPC主分类号：

B24B722

IPC分类号：

B24B2900 H01L21304 H01L2120 H01L2102 H01L2300 H01L3300

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;黄启行

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-12	公开	公开
2011-04-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101079710830 IPC(主分类):B24B 7/22 专利申请号:2007101497276 公开日:20080312

共 50 条

[1]

制造Ⅲ族氮化物衬底晶片的方法和Ⅲ族氮化物衬底晶片 [P].

石桥惠二 ;

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101504913A ,2009-08-12

[2]

制造Ⅲ族氮化物衬底晶片的方法和Ⅲ族氮化物衬底晶片 [P].

石桥惠二 ;

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101106081A ,2008-01-16

[3]

Ⅲ族氮化物单晶锭、Ⅲ族氮化物单晶衬底、制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法及制造Ⅲ族氮化物单晶衬底的方法 [P].

冈久拓司 ;

中畑成二 ;

上村智喜 .

中国专利 :CN101925695A ,2010-12-22

[4]

第III族氮化物衬底的制造方法及第 III 族氮化物衬底 [P].

北村寿朗 ;

柴田真佐知 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN107978509A ,2018-05-01

[5]

III族氮化物复合衬底及其制造方法、层叠的III族氮化物复合衬底、III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

木山诚 ;

石桥惠二 ;

八乡昭广 ;

松本直树 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN104781907B ,2015-07-15

[6]

Ⅲ族氮化物晶体衬底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN1942611B ,2007-04-04

[7]

ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101752240A ,2010-06-23

[8]

III族氮化物复合衬底及其制造方法，层叠的III族氮化物复合衬底，以及III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

柳泽拓弥 ;

上松康二 ;

关裕纪 ;

山本喜之 .

中国专利 :CN104995713A ,2015-10-21

[9]

Ⅲ族氮化物晶体的制造方法、Ⅲ族氮化物晶体衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

弘田龙 ;

上松康二 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101421443B ,2009-04-29

[10]

Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法 [P].

柴田真佐知 .

中国专利 :CN100453712C ,2005-03-09

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