多晶硅的包装方法、多晶硅的双重包装方法及单晶硅用原料制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980026289.5
申请日
2019-04-18
公开(公告)号
CN111989267B
公开(公告)日
2020-11-24
发明(设计)人
野田圣奈
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
B65B5110
IPC分类号
B65D7704 C01B3302
代理机构
北京德琦知识产权代理有限公司 11018
代理人
刁兴利;康泉
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
多晶硅块、多晶硅棒及单晶硅的制造方法 [P]. 
宫尾秀一 ;
祢津茂义 ;
星野成大 ;
冈田哲郎 .
中国专利 :CN107954427A ,2018-04-24
[2]
多晶硅棒、多晶硅棒的制造方法以及单晶硅 [P]. 
宫尾秀一 ;
祢津茂义 ;
冈田哲郎 .
中国专利 :CN106255663B ,2016-12-21
[3]
多晶硅熔化参数的检测方法、多晶硅、单晶硅及其制造方法 [P]. 
宮尾秀一 .
中国专利 :CN110133017B ,2019-08-16
[4]
多晶硅的包装及包装多晶硅的方法 [P]. 
M·菲茨 ;
M·布里克赛尔 ;
J·马特斯 ;
P·维默尔 .
中国专利 :CN108137210B ,2018-06-08
[5]
多晶硅的晶体取向度评价方法、多晶硅棒的选择方法、多晶硅棒、多晶硅块以及单晶硅的制造方法 [P]. 
宫尾秀一 ;
冈田淳一 ;
祢津茂义 .
中国专利 :CN104395740A ,2015-03-04
[6]
多晶硅棒和单晶硅的制造方法 [P]. 
宫尾秀一 ;
石田昌彦 ;
星野成大 ;
祢津茂义 .
中国专利 :CN109694076A ,2019-04-30
[7]
多晶硅棒和单晶硅的制造方法 [P]. 
宫尾秀一 ;
石田昌彦 ;
星野成大 ;
祢津茂义 .
日本专利 :CN109694076B ,2024-03-19
[8]
多晶硅的制造方法以及单晶硅的制造方法 [P]. 
丁欣 .
中国专利 :CN106283180A ,2017-01-04
[9]
多晶硅制造系统、多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法 [P]. 
祢津茂义 ;
小黑晓二 ;
清水孝明 ;
黑泽靖志 ;
久米史高 .
中国专利 :CN102498063A ,2012-06-13
[10]
多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅 [P]. 
漆原诚 ;
水岛一树 .
中国专利 :CN101956232B ,2011-01-26