单晶金刚石

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810127436.1

申请日：

2003-09-19

公开(公告)号：

CN101319358A

公开(公告)日：

2008-12-10

发明(设计)人：

G·A·斯卡斯布鲁克 P·M·马蒂诺 D·J·特威切恩

申请人：

申请人地址：

英国男人岛

IPC主分类号：

C30B2904

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

宁家成

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-01-25	授权	授权
2008-12-10	公开	公开

共 50 条

[21]

单晶合成金刚石材料 [P].

A·M·埃德蒙斯 ;

M·L·玛尔卡哈姆 ;

P-O·F·M·科拉德 .

中国专利 :CN113423875A ,2021-09-21

[22]

单晶合成金刚石材料 [P].

A·M·埃德蒙斯 ;

M·L·玛尔卡哈姆 ;

P-O·F·M·科拉德 .

英国专利 :CN113423875B ,2024-11-12

[23]

单晶金刚石及其制造方法、包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件 [P].

辰巳夏生 ;

西林良树 ;

角谷均 .

中国专利 :CN106574393B ,2017-04-19

[24]

单晶金刚石及其制备方法 [P].

目黑贵一 ;

山本喜之 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN1865534A ,2006-11-22

[25]

CVD单晶金刚石材料 [P].

I·弗里尔 ;

S·L·盖根 ;

D·J·特维切 ;

J·M·道德森 .

中国专利 :CN102770588B ,2012-11-07

[26]

单晶金刚石材料、单晶金刚石芯片和穿孔工具 [P].

西林良树 ;

辰巳夏生 ;

角谷均 ;

植田晓彦 ;

小林丰 .

中国专利 :CN107109691B ,2017-08-29

[27]

合成单晶金刚石、合成单晶金刚石的制造方法以及金刚石衬底 [P].

角谷均 ;

左亦康 ;

寺本三记 .

日本专利 :CN121002232A ,2025-11-21

[28]

MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法 [P].

马孟宇 ;

蔚翠 ;

郭建超 ;

刘庆斌 ;

王亚伟 ;

周闯杰 ;

何泽召 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114686971A ,2022-07-01

[29]

合成单晶金刚石 [P].

角谷均 ;

滨木健成 ;

寺本三记 ;

山本佳津子 .

中国专利 :CN111247276A ,2020-06-05

[30]

大的单晶金刚石 [P].

C·N·多德格 ;

R·A·斯皮茨 .

中国专利 :CN101657253A ,2010-02-24

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