真空热压烧结法制备的氮化铝陶瓷基片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610405585.4

申请日：

2016-06-08

公开(公告)号：

CN105948759A

公开(公告)日：

2016-09-21

发明(设计)人：

宫伯昌

申请人：

申请人地址：

255000 山东省淄博市高新区北路以西，长征路以南

IPC主分类号：

C04B35581

IPC分类号：

C04B35645

代理机构：

青岛发思特专利商标代理有限公司 37212

代理人：

马俊荣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-21	公开	公开
2016-10-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101683322873 IPC(主分类):C04B 35/581 专利申请号:2016104055854 申请日:20160608
2021-11-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/581 申请公布日:20160921

共 50 条

[1]

一种真空热压烧结法制备的高性能氮化铝陶瓷基板及制备方法 [P].

伍尚华 ;

汪亮 ;

郭伟明 ;

盛鹏飞 ;

林坤吉 .

中国专利 :CN113354418B ,2021-09-07

[2]

氮化铝烧结助剂和制备方法及氮化铝陶瓷基片的制备方法 [P].

孙塾孟 ;

杨力 ;

鲍侠 .

中国专利 :CN104072158A ,2014-10-01

[3]

氮化铝陶瓷的制备方法及采用该方法制备的氮化铝陶瓷 [P].

朱淑丽 ;

林信平 ;

林勇钊 ;

周龙飞 .

中国专利 :CN102030538B ,2011-04-27

[4]

水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法 [P].

雒晓军 ;

张宝林 ;

李文兰 ;

庄汉锐 .

中国专利 :CN1274638C ,2004-12-29

[5]

放电等离子烧结法制备氮化铝透明陶瓷 [P].

傅正义 ;

王皓 ;

刘军芳 .

中国专利 :CN1371885A ,2002-10-02

[6]

采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法 [P].

刘述江 .

中国专利 :CN101985396A ,2011-03-16

[7]

一种制备氮化铝陶瓷基片的方法 [P].

仝建峰 ;

陈大明 ;

周洋 ;

崔岩 ;

杜林虎 ;

李斌太 ;

徐荣九 ;

袁广江 .

中国专利 :CN1207247C ,2003-03-19

[8]

一种氮化铝陶瓷基片及其制备方法 [P].

尹荔松 ;

王向科 ;

钟兆祥 ;

何伟健 ;

甘颖俊 .

中国专利 :CN110963800A ,2020-04-07

[9]

一种氮化铝陶瓷基片的制备方法 [P].

傅成志 ;

陈旭 ;

李亚男 .

中国专利 :CN110937902A ,2020-03-31

[10]

采用复合粉末粒型制备氮化铝陶瓷基片的方法 [P].

黄勤 .

中国专利 :CN104987081A ,2015-10-21

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