氮化铝烧结助剂和制备方法及氮化铝陶瓷基片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410260672.6

申请日：

2014-06-12

公开(公告)号：

CN104072158A

公开(公告)日：

2014-10-01

发明(设计)人：

孙塾孟杨力鲍侠

申请人：

申请人地址：

313000 浙江省湖州市长兴县槐坎电子工业园

IPC主分类号：

C04B3563

IPC分类号：

C04B35581 C04B35622

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人：

汤东凤

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-06	授权	授权
2014-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587979392 IPC(主分类):C04B 35/63 专利申请号:2014102606726 申请日:20140612
2022-12-20	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C04B 35/63 变更事项:专利权人变更前:浙江长兴电子厂有限公司变更后:浙江东瓷科技有限公司变更事项:地址变更前:313000 浙江省湖州市长兴县槐坎电子工业园变更后:313117 浙江省湖州市长兴县煤山镇南太湖电子信息产业园
2014-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

真空热压烧结法制备的氮化铝陶瓷基片及其制备方法 [P].

宫伯昌 .

中国专利 :CN105948759A ,2016-09-21

[2]

氮化铝陶瓷的制备方法及采用该方法制备的氮化铝陶瓷 [P].

朱淑丽 ;

林信平 ;

林勇钊 ;

周龙飞 .

中国专利 :CN102030538B ,2011-04-27

[3]

一种氮化铝陶瓷基片的制备方法 [P].

傅成志 ;

陈旭 ;

李亚男 .

中国专利 :CN110937902A ,2020-03-31

[4]

一种制备氮化铝陶瓷基片的方法 [P].

仝建峰 ;

陈大明 ;

周洋 ;

崔岩 ;

杜林虎 ;

李斌太 ;

徐荣九 ;

袁广江 .

中国专利 :CN1207247C ,2003-03-19

[5]

透明氮化铝陶瓷的制备方法 [P].

周艳平 ;

王岱峰 ;

庄汉锐 ;

温树林 ;

郭景坤 .

中国专利 :CN1076012C ,1998-11-18

[6]

一种氮化铝陶瓷烧结体及其制备方法和氮化铝陶瓷基板 [P].

王明清 ;

徐学磊 ;

袁振侠 ;

黄金侠 ;

杨旺 ;

赵海 .

中国专利 :CN118164766A ,2024-06-11

[7]

一种氮化铝陶瓷烧结体及其制备方法和氮化铝陶瓷基板 [P].

王明清 ;

徐学磊 ;

袁振侠 ;

黄金侠 ;

杨旺 ;

赵海 .

中国专利 :CN118164766B ,2024-07-19

[8]

一种氮化铝陶瓷基片及其制备方法 [P].

尹荔松 ;

王向科 ;

钟兆祥 ;

何伟健 ;

甘颖俊 .

中国专利 :CN110963800A ,2020-04-07

[9]

LED用氮化铝陶瓷基片的生产方法 [P].

陈霞 .

中国专利 :CN106966734A ,2017-07-21

[10]

LED用氮化铝陶瓷基片的生产方法 [P].

范红梅 .

中国专利 :CN104987080A ,2015-10-21

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