LED用氮化铝陶瓷基片的生产方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510321089.6

申请日：

2015-06-05

公开(公告)号：

CN104987080A

公开(公告)日：

2015-10-21

发明(设计)人：

范红梅

申请人：

申请人地址：

226000 江苏省南通市启东市汇龙镇文秀新村5号楼303室

IPC主分类号：

C04B35582

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B 35/582 申请公布日:20151021
2015-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101633528110 IPC(主分类):C04B 35/582 专利申请号:2015103210896 申请日:20150605
2015-10-21	公开	公开

共 50 条

[1]

LED用氮化铝陶瓷基片的生产方法 [P].

陈霞 .

中国专利 :CN106966734A ,2017-07-21

[2]

LED用低成本氮化铝陶瓷基片的生产方法 [P].

颜建军 ;

马立斌 ;

何竟宇 ;

朱卫兵 .

中国专利 :CN103755351B ,2014-04-30

[3]

改性氮化铝陶瓷基片及其生产方法 [P].

陈霞 .

中国专利 :CN106938935A ,2017-07-11

[4]

一种超薄氮化铝陶瓷基片的生产工艺 [P].

杨大胜 ;

施纯锡 ;

冯家伟 .

中国专利 :CN112876260B ,2021-06-01

[5]

一种用流延法制造高热导率集成电路氮化铝陶瓷基片的方法 [P].

梁广川 ;

梁金生 ;

梁秀红 ;

高兴华 .

中国专利 :CN1087010C ,1999-07-07

[6]

氮化铝烧结助剂和制备方法及氮化铝陶瓷基片的制备方法 [P].

孙塾孟 ;

杨力 ;

鲍侠 .

中国专利 :CN104072158A ,2014-10-01

[7]

一种氮化铝陶瓷基片的制备方法 [P].

傅成志 ;

陈旭 ;

李亚男 .

中国专利 :CN110937902A ,2020-03-31

[8]

一种改性氮化铝陶瓷基片及其生产方法 [P].

颜建军 ;

陈建国 ;

张志涛 ;

朱卫兵 .

中国专利 :CN103819196A ,2014-05-28

[9]

水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法 [P].

雒晓军 ;

张宝林 ;

李文兰 ;

庄汉锐 .

中国专利 :CN1274638C ,2004-12-29

[10]

添加三元复合烧结剂制备高导热氮化铝陶瓷基片的方法 [P].

马立斌 ;

何竟宇 ;

陶建兵 ;

谢小荣 .

中国专利 :CN103819195B ,2014-05-28

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