微波等离子体处理装置、等离子体点火方法、等离子体形成方法及等离子体处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610087184.5

申请日：

2002-03-28

公开(公告)号：

CN1945800A

公开(公告)日：

2007-04-11

发明(设计)人：

大见忠弘平山昌树须川成利后藤哲也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L2100 C23C16517 H01J3732 H05H100

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

柳春雷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-04-11	公开	公开
2009-09-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回

共 50 条

[1]

微波等离子体处理装置、等离子体点火方法、等离子体形成方法及等离子体处理方法 [P].

大见忠弘 ;

平山昌树 ;

须川成利 ;

后藤哲也 .

中国专利 :CN1502121A ,2004-06-02

[2]

等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P].

森口尚树 .

中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25

[3]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

松本直树 ;

吉川润 ;

西塚哲也 ;

佐佐木胜 .

中国专利 :CN101521980A ,2009-09-02

[4]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

平山昌树 ;

大见忠弘 .

中国专利 :CN102057760A ,2011-05-11

[5]

等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P].

森本保 ;

村上贵宏 .

中国专利 :CN1531012A ,2004-09-22

[6]

微波等离子体发生装置、微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法 [P].

中川清和 ;

宇佐美由久 .

日本专利 :CN119586328A ,2025-03-07

[7]

等离子体处理装置、等离子体处理方法 [P].

舆水地盐 .

中国专利 :CN101908460A ,2010-12-08

[8]

等离子体处理装置、等离子体处理方法 [P].

石川拓 ;

户部康弘 .

中国专利 :CN101622698B ,2010-01-06

[9]

等离子体处理装置、等离子体处理方法 [P].

大木达也 ;

小泽亘 ;

深泽公博 ;

金谷和博 .

中国专利 :CN102737945B ,2012-10-17

[10]

等离子体流生成方法、等离子体处理方法、等离子体发生装置和等离子体处理装置 [P].

鹭坂圭亮 ;

野口义文 .

中国专利 :CN102939404A ,2013-02-20

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