存储器器件、半导体存储器结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110588736.5

申请日：

2021-05-28

公开(公告)号：

CN113380290A

公开(公告)日：

2021-09-10

发明(设计)人：

姜慧如林仲德

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

G11C1134

IPC分类号：

G11C1140 G11C11409 G11C114094

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/34 申请日:20210528
2021-09-10	公开	公开

共 50 条

[1]

存储器器件、半导体存储器结构及其形成方法 [P].

姜慧如 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113380290B ,2024-07-12

[2]

存储器器件及其形成方法 [P].

李婕 ;

罗棋 ;

刘逸青 ;

王奕 .

中国专利 :CN119855149A ,2025-04-18

[3]

存储器结构、存储器件及其形成方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113488477A ,2021-10-08

[4]

存储器单元、半导体器件及其形成方法 [P].

张志宇 ;

林孟汉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113517297B ,2024-09-17

[5]

存储器单元、半导体器件及其形成方法 [P].

张志宇 ;

林孟汉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113517297A ,2021-10-19

[6]

半导体器件及其形成方法、存储器 [P].

邵光速 .

中国专利 :CN117956781A ,2024-04-30

[7]

存储器及其形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107611133B ,2018-01-19

[8]

半导体器件及其形成方法、存储器 [P].

邵光速 .

中国专利 :CN117956782A ,2024-04-30

[9]

存储器单元、半导体器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380820A ,2021-09-10

[10]

存储器单元、半导体器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380820B ,2024-12-24

← 1 2 3 4 5 →