存储器器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411970939.0

申请日：

2024-12-30

公开(公告)号：

CN119855149A

公开(公告)日：

2025-04-18

发明(设计)人：

李婕罗棋刘逸青王奕

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-18	公开	公开
2025-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20241230

共 50 条

[1]

存储器器件及其形成方法 [P].

张盟昇 .

中国专利 :CN119156010A ,2024-12-17

[2]

存储器器件、半导体存储器结构及其形成方法 [P].

姜慧如 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113380290A ,2021-09-10

[3]

存储器器件、半导体存储器结构及其形成方法 [P].

姜慧如 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113380290B ,2024-07-12

[4]

存储器器件及其形成方法 [P].

张盟昇 ;

黄家恩 ;

杨耀仁 ;

王奕 .

中国专利 :CN113421603A ,2021-09-21

[5]

存储器器件及其形成方法 [P].

张盟昇 ;

王奕 .

中国专利 :CN119107997A ,2024-12-10

[6]

存储器器件及其形成方法 [P].

吴昭谊 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113488504A ,2021-10-08

[7]

存储器器件及其形成方法 [P].

林谷峰 ;

李纪宽 ;

游文俊 ;

喻鹏飞 ;

史毅骏 ;

王奕 .

中国专利 :CN119521658A ,2025-02-25

[8]

存储器器件及其形成方法 [P].

吴昭谊 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113488504B ,2024-08-02

[9]

存储器器件及其形成方法 [P].

粘逸昕 ;

藤原英弘 ;

林志宇 ;

陈炎辉 .

中国专利 :CN118887983A ,2024-11-01

[10]

存储器器件及其形成方法 [P].

粘逸昕 ;

藤原英弘 ;

林志宇 ;

林高正 ;

陈映志 ;

陈炎辉 .

中国专利 :CN120897442A ,2025-11-04

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