一种多肽/MoS2/SnO2复合材料制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111280054.4

申请日：

2021-11-01

公开(公告)号：

CN114002269A

公开(公告)日：

2022-02-01

发明(设计)人：

汶飞朱成龙胡永倩李丽丽

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街1158号

IPC主分类号：

G01N2700

IPC分类号：

C01G3906 C01G1902

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/00 申请日:20211101
2022-02-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SnO2/C/MoS2复合材料及其制备方法 [P].

项义军 ;

严学华 ;

王静静 ;

沙大巍 ;

程晓农 .

中国专利 :CN109243837A ,2019-01-18

[2]

一种rGO/MoS2/SnO2复合气敏材料的制备方法 [P].

邵红云 ;

符浩 ;

王丽伟 ;

吴琪 ;

王英辉 ;

余克服 .

中国专利 :CN109569666A ,2019-04-05

[3]

一种SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜、制备方法及其应用 [P].

戴正飞 ;

赵颖 ;

刘航 ;

李佳磊 .

中国专利 :CN113354298B ,2021-09-07

[4]

一种Mo掺杂SnO2复合SnS材料的制备方法 [P].

王依山 ;

张学谦 ;

温广武 .

中国专利 :CN109360965A ,2019-02-19

[5]

一种SnO2/石墨烯复合材料及其制备方法和应用 [P].

王洪强 ;

许潇洒 ;

曲昌镇 ;

于浩奇 ;

徐飞 .

中国专利 :CN111640925A ,2020-09-08

[6]

一种Mo掺杂SnO2/SnS2复合石墨烯材料的制备方法 [P].

王依山 ;

张学谦 ;

温广武 .

中国专利 :CN109360964A ,2019-02-19

[7]

一种MoS2/WS2纳米层状复合材料的制备方法 [P].

李长生 ;

张帅 ;

陈林波 ;

李剑锋 .

中国专利 :CN107235511B ,2017-10-10

[8]

一种g‑C3N4/MoS2纳米复合材料的制备方法 [P].

李长生 ;

董金泽 ;

刘帅 ;

张帅 ;

彭维祥 .

中国专利 :CN106590815A ,2017-04-26

[9]

一种用于钠离子电池负极的MoS2/MoS2纳米复合材料及其制备方法 [P].

许占位 ;

刘鑫悦 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

李智 ;

姚恺 ;

任宇川 ;

陈思雨 .

中国专利 :CN111799467B ,2020-10-20

[10]

一种制备锂离子电池SnO2/SnS2纳米复合电极材料的方法 [P].

李辉 ;

陈卫祥 ;

常焜 .

中国专利 :CN101609886B ,2009-12-23

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