一种MoS2/WS2纳米层状复合材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710411607.2

申请日：

2017-06-05

公开(公告)号：

CN107235511B

公开(公告)日：

2017-10-10

发明(设计)人：

李长生张帅陈林波李剑锋

申请人：

申请人地址：

212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

IPC主分类号：

C01G4100

IPC分类号：

C01G3906 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-10	公开	公开
2021-05-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 41/00 申请日:20170605 授权公告日:20190430 终止日期:20200605
2017-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 41/00 申请日:20170605
2019-04-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于钠离子电池负极的MoS2/MoS2纳米复合材料及其制备方法 [P].

许占位 ;

刘鑫悦 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

李智 ;

姚恺 ;

任宇川 ;

陈思雨 .

中国专利 :CN111799467B ,2020-10-20

[2]

一种层状MoS2‑TiO2纳米复合材料的制备方法 [P].

曹维成 ;

王快社 ;

胡平 ;

刘东新 ;

杨帆 ;

安耿 ;

卜春阳 ;

厉学武 ;

唐丽霞 ;

何凯 ;

刘仁智 .

中国专利 :CN105817237B ,2016-08-03

[3]

一种g‑C3N4/MoS2纳米复合材料的制备方法 [P].

李长生 ;

董金泽 ;

刘帅 ;

张帅 ;

彭维祥 .

中国专利 :CN106590815A ,2017-04-26

[4]

一种管状石墨烯/MoS2纳米复合材料的制备方法 [P].

唐华 ;

季晓瑞 ;

吴孔强 ;

李长生 ;

唐国刚 .

中国专利 :CN102796590B ,2012-11-28

[5]

一种纳米WS2或MoS2颗粒的制备方法 [P].

毛大恒 ;

石琛 ;

毛向辉 ;

毛艳 ;

李登伶 .

中国专利 :CN101857274B ,2010-10-13

[6]

一种层状MoS2‑Bi2MoO6纳米复合材料的制备方法 [P].

曹维成 ;

王快社 ;

胡平 ;

刘东新 ;

杨帆 ;

安耿 ;

卜春阳 ;

厉学武 ;

唐丽霞 ;

何凯 ;

刘仁智 .

中国专利 :CN105664975B ,2016-06-15

[7]

一种层状MoS2-TiO2纳米复合材料的制备方法 [P].

胡平 ;

王快社 ;

杨帆 ;

胡卜亮 ;

宋瑞 ;

陈震宇 ;

李秦伟 ;

戴晓庆 .

中国专利 :CN105688943A ,2016-06-22

[8]

一种层状MoS2-SnO2纳米复合材料的制备方法 [P].

胡平 ;

王快社 ;

杨帆 ;

胡卜亮 ;

宋瑞 ;

陈震宇 ;

李秦伟 ;

戴晓庆 .

中国专利 :CN105688944A ,2016-06-22

[9]

一种多肽/MoS2/SnO2复合材料制备方法及应用 [P].

汶飞 ;

朱成龙 ;

胡永倩 ;

李丽丽 .

中国专利 :CN114002269A ,2022-02-01

[10]

一种MoS2/S-NiCoCr-LDH复合材料的制备方法 [P].

葛宗义 ;

庄建国 .

中国专利 :CN112430829A ,2021-03-02

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