制造低氧化铌的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810109827.0

申请日：

2004-07-22

公开(公告)号：

CN101298340A

公开(公告)日：

2008-11-05

发明(设计)人：

C·施尼特尔

申请人：

申请人地址：

德国戈斯拉

IPC主分类号：

C01G3300

IPC分类号：

H01G915 H01G9042

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

韦欣华

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101716584978 IPC(主分类):C01G 33/00 专利申请号:2008101098270 申请公布日:20081105
2008-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-11-05	公开	公开

共 50 条

[1]

制造低氧化铌的方法 [P].

C·施尼特尔 .

中国专利 :CN1576234A ,2005-02-09

[2]

基于低氧化铌的烧结体 [P].

C·施尼特尔 ;

G·维廷 .

中国专利 :CN100404463C ,2005-04-20

[3]

氧化铌溅射靶、其制造方法及氧化铌膜 [P].

梅本启太 ;

张守斌 .

中国专利 :CN105074046A ,2015-11-18

[4]

低价氧化铌或铌粉的制备方法 [P].

施文锋 ;

习旭东 ;

李勇 ;

陈学清 ;

王伟 .

中国专利 :CN100577574C ,2008-03-12

[5]

制造铌金属氧化物的方法 [P].

乔纳森·L·金梅尔 ;

邱永坚 .

中国专利 :CN1529893A ,2004-09-15

[6]

低价氧化铌的制备方法 [P].

袁宁峰 ;

温晓立 ;

王丹鹏 ;

张庆生 .

中国专利 :CN1587066A ,2005-03-02

[7]

氧化钽或氧化铌粉末及其制造方法 [P].

东贤治 ;

渡边广幸 ;

宫下德彦 .

中国专利 :CN100339308C ,2004-04-28

[8]

超细氧化铌的制备方法 [P].

匡国珍 ;

胡志萍 ;

张国祥 ;

戴和平 ;

江燕 ;

李锋波 .

中国专利 :CN102897836A ,2013-01-30

[9]

一种氧化铌、氧化钽生产用坩埚的制造方法 [P].

石波 ;

钟岳联 ;

杨博 ;

吴宇锦 .

中国专利 :CN103449845A ,2013-12-18

[10]

一种铌陶瓷层析工艺制备纳米氧化铌的方法 [P].

孙思聪 ;

梁粱 ;

梅龙宝 ;

梁昌明 .

中国专利 :CN110357157B ,2019-10-22

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