基于低氧化铌的烧结体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410090003.5

申请日：

2004-10-14

公开(公告)号：

CN100404463C

公开(公告)日：

2005-04-20

发明(设计)人：

C·施尼特尔 G·维廷

申请人：

申请人地址：

联邦德国戈斯拉

IPC主分类号：

C04B35495

IPC分类号：

C04B3504 H01G9032 H01G9042 H01G915

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

卢新华;李连涛

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101690189596 IPC(主分类):C04B 35/495 专利号:ZL2004100900035 申请日:20041014 授权公告日:20080723 终止日期:20151014
2005-04-20	公开	公开
2008-07-23	授权	授权
2006-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制造低氧化铌的方法 [P].

C·施尼特尔 .

中国专利 :CN101298340A ,2008-11-05

[2]

制造低氧化铌的方法 [P].

C·施尼特尔 .

中国专利 :CN1576234A ,2005-02-09

[3]

部分氮化的铌粉，制备该铌粉的方法、该铌粉的烧结体，制备该烧结体的方法及电容器 [P].

内藤一美 .

中国专利 :CN1192404C ,1999-07-28

[4]

一氧化铌粉、一氧化铌烧结体以及使用一氧化铌烧结体的电容器 [P].

大森和弘 ;

内藤一美 ;

川崎俊哉 ;

和田紘一 .

中国专利 :CN100383900C ,2003-12-24

[5]

铌粉、铌烧结体和使用该烧结体的电容器 [P].

大森和弘 ;

内藤一美 ;

川崎俊哉 ;

和田紘一 .

中国专利 :CN101066560A ,2007-11-07

[6]

铌粉、铌烧结体和使用该烧结体的电容器 [P].

大森和弘 ;

内藤一美 ;

川崎俊哉 ;

和田紘一 .

中国专利 :CN1526028B ,2004-09-01

[7]

铌粉、铌烧结体、铌烧结体的化学改性体以及使用它们的电容器 [P].

河边功 ;

内藤一美 .

中国专利 :CN100456399C ,2004-03-31

[8]

铌粉、铌烧结体以及使用该烧结体的电容器 [P].

大森和弘 ;

内藤一美 .

中国专利 :CN1446364A ,2003-10-01

[9]

铌粉、铌粉烧结体、使用了该烧结体的电容器及其制作方法 [P].

内藤一美 .

中国专利 :CN1180447C ,2001-05-09

[10]

铌烧结体及其生产方法以及使用这种铌烧结体的电容器 [P].

内藤一美 ;

河边功 .

中国专利 :CN1507643A ,2004-06-23

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