一种通过键合银丝连接的半导体发光二极管二次封装件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120259906.7

申请日：

2011-07-21

公开(公告)号：

CN202153539U

公开(公告)日：

2012-02-29

发明(设计)人：

袁毅

申请人：

申请人地址：

528400 广东省中山市火炬开发区东兴中路8号A5栋

IPC主分类号：

H01L3362

IPC分类号：

H01L25075

代理机构：

中山市科创专利代理有限公司 44211

代理人：

谢自安

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-29	授权	授权
2014-09-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586818605 IPC(主分类):H01L 33/62 专利号:ZL2011202599067 申请日:20110721 授权公告日:20120229 终止日期:20130721

共 50 条

[1]

通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202025756U ,2011-11-02

[2]

通过镀银键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018962U ,2011-10-26

[3]

通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018998U ,2011-10-26

[4]

通过镀钯键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018997U ,2011-10-26

[5]

一种半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202167485U ,2012-03-14

[6]

一种半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN201629335U ,2010-11-10

[7]

通过表面包覆钯层的键合银丝连接的发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202172068U ,2012-03-21

[8]

一种通过镀银键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018996U ,2011-10-26

[9]

一种通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018994U ,2011-10-26

[10]

一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018995U ,2011-10-26

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