通过镀钯键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120099909.9

申请日：

2011-04-08

公开(公告)号：

CN202018997U

公开(公告)日：

2011-10-26

发明(设计)人：

袁毅

申请人：

申请人地址：

528400 广东省中山市火炬开发区东兴中路8号A5栋

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3362 H01L2500

代理机构：

中山市科创专利代理有限公司 44211

代理人：

谢自安

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101582552239 IPC(主分类):H01L 33/48 专利号:ZL2011200999099 申请日:20110408 授权公告日:20111026 终止日期:20130408
2011-10-26	授权	授权

共 50 条

[1]

通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018998U ,2011-10-26

[2]

通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202025756U ,2011-11-02

[3]

通过镀银键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018962U ,2011-10-26

[4]

一种通过镀钯键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018999U ,2011-10-26

[5]

一种通过键合银丝连接的半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202153539U ,2012-02-29

[6]

一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018995U ,2011-10-26

[7]

一种半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202167485U ,2012-03-14

[8]

一种半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN201629335U ,2010-11-10

[9]

一种通过镀银键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018996U ,2011-10-26

[10]

一种通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018994U ,2011-10-26

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