高发光效率InGaN基多量子阱外延片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610183107.3

申请日：

2016-03-28

公开(公告)号：

CN105789393B

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

赵德刚杨静

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-20	公开	公开
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101674713178 IPC(主分类):H01L 33/04 专利申请号:2016101831073 申请日:20160328
2018-06-19	授权	授权

共 50 条

[1]

高发光效率的量子阱组合LED外延结构及其制备方法 [P].

柳颜欣 ;

曲爽 ;

马旺 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN105355737A ,2016-02-24

[2]

具有高发光效率量子垒的外延片及其制备方法 [P].

孙玉芹 ;

王江波 .

中国专利 :CN105140357A ,2015-12-09

[3]

一种InGaN基多量子阱结构及其制备方法 [P].

贾伟 ;

党随虎 ;

许并社 ;

李天保 ;

梁建 ;

董海亮 .

中国专利 :CN103746052A ,2014-04-23

[4]

一种提高发光效率的LED外延片制备方法 [P].

何苗 ;

黄波 ;

陈雪芳 ;

刘翠 ;

郑树文 ;

李述体 .

中国专利 :CN105895751B ,2016-08-24

[5]

InGaN基多量子阱结构的制备方法及LED结构 [P].

李鹏 ;

张冀 ;

康学军 ;

杜雪红 ;

王垚浩 .

中国专利 :CN103022289B ,2013-04-03

[6]

一种制备InGaN基多量子阱层的方法 [P].

江风益 ;

王立 ;

莫春兰 ;

方文卿 .

中国专利 :CN102067347B ,2011-05-18

[7]

多量子阱层及其制备方法、外延片及双色发光LED芯片 [P].

刘春杨 ;

王小兰 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN120957534A ,2025-11-14

[8]

一种InGaN/GaN多量子阱蓝色激光电池外延片及其制备方法 [P].

单恒升 ;

徐超明 ;

刘胜威 ;

梅云俭 ;

尚林 ;

马淑芳 ;

许并社 .

中国专利 :CN113964217B ,2024-12-27

[9]

基于GaN条纹模板的多色发光InGaN量子阱外延片的制备方法 [P].

方志来 ;

吴征远 .

中国专利 :CN109148651B ,2019-01-04

[10]

一种InGaN/GaN多量子阱蓝色激光电池外延片及其制备方法 [P].

单恒升 ;

徐超明 ;

刘胜威 ;

梅云俭 ;

尚林 ;

马淑芳 ;

许并社 .

中国专利 :CN113964217A ,2022-01-21

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