基于GaN条纹模板的多色发光InGaN量子阱外延片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810887536.8

申请日：

2018-08-06

公开(公告)号：

CN109148651B

公开(公告)日：

2019-01-04

发明(设计)人：

方志来吴征远

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3322 H01L3324 H01L3332

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;陆尤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-04	公开	公开
2019-10-15	授权	授权
2019-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20180806

共 50 条

[1]

一种双波段长波长发光铟镓氮量子阱外延片及其制备方法 [P].

方志来 ;

吴征远 .

中国专利 :CN109285922A ,2019-01-29

[2]

InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法 [P].

邢瑶 ;

赵德刚 ;

江德生 ;

刘宗顺 ;

陈平 ;

朱建军 .

中国专利 :CN109888069B ,2019-06-14

[3]

高发光效率InGaN基多量子阱外延片及其制备方法 [P].

赵德刚 ;

杨静 .

中国专利 :CN105789393B ,2016-07-20

[4]

InGaN/(In)GaN量子阱结构的制造方法及LED外延片 [P].

彭莉媛 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

杨静 ;

朱建军 ;

刘宗顺 .

中国专利 :CN109461796A ,2019-03-12

[5]

一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法 [P].

杨国锋 ;

汪金 ;

张秀梅 ;

谢峰 ;

钱维莹 .

中国专利 :CN107425095A ,2017-12-01

[6]

高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法 [P].

潘尧波 ;

郝茂盛 ;

张国义 ;

颜建锋 ;

周健华 .

中国专利 :CN101488550B ,2009-07-22

[7]

外延片量子阱结构的制备方法 [P].

肖怀曙 .

中国专利 :CN103840044A ,2014-06-04

[8]

一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED [P].

潘尧波 ;

郝茂盛 ;

张国义 ;

周健华 ;

颜建锋 .

中国专利 :CN101488548A ,2009-07-22

[9]

高发光效率的量子阱组合LED外延结构及其制备方法 [P].

柳颜欣 ;

曲爽 ;

马旺 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN105355737A ,2016-02-24

[10]

基于多量子阱的GaN横向LED制备方法 [P].

王斌 ;

黄博 ;

胡辉勇 ;

舒斌 ;

宋建军 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN108133989A ,2018-06-08

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