InGaN/(In)GaN量子阱结构的制造方法及LED外延片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811213531.3

申请日：

2018-10-17

公开(公告)号：

CN109461796A

公开(公告)日：

2019-03-12

发明(设计)人：

彭莉媛赵德刚梁锋杨静朱建军刘宗顺

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李佳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-12	公开	公开
2021-04-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20190312
2019-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20181017

共 50 条

[1]

InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法 [P].

邢瑶 ;

赵德刚 ;

江德生 ;

刘宗顺 ;

陈平 ;

朱建军 .

中国专利 :CN109888069B ,2019-06-14

[2]

一种GaN基量子阱LED外延片及制备方法 [P].

李述体 .

中国专利 :CN101281940A ,2008-10-08

[3]

渐变量子阱的LED外延片、生长方法及LED结构 [P].

马海庆 ;

胡艳芳 .

中国专利 :CN104103724B ,2014-10-15

[4]

基于GaN条纹模板的多色发光InGaN量子阱外延片的制备方法 [P].

方志来 ;

吴征远 .

中国专利 :CN109148651B ,2019-01-04

[5]

带量子阱垒层的LED外延片、生长方法及LED结构 [P].

林传强 .

中国专利 :CN104091870A ,2014-10-08

[6]

外延片量子阱结构的制备方法 [P].

肖怀曙 .

中国专利 :CN103840044A ,2014-06-04

[7]

LED的量子阱结构、其制作方法及包括其的LED外延片 [P].

刘为刚 ;

曾莹 ;

徐迪 ;

苗振林 .

中国专利 :CN104064644B ,2014-09-24

[8]

复合量子阱结构高亮度GaN基蓝光LED外延片 [P].

刘明德 ;

王怀兵 ;

何清华 ;

邓纲 ;

熊建明 .

中国专利 :CN1461060A ,2003-12-10

[9]

一种多量子阱结构、LED外延片及其制备方法 [P].

柳颜欣 ;

马旺 ;

王成新 .

中国专利 :CN110335923A ,2019-10-15

[10]

红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构 [P].

刘召军 ;

吴国才 ;

莫炜静 ;

于海娇 .

中国专利 :CN110970538B ,2020-04-07

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