渐变量子阱的LED外延片、生长方法及LED结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410378551.1

申请日：

2014-08-04

公开(公告)号：

CN104103724B

公开(公告)日：

2014-10-15

发明(设计)人：

马海庆胡艳芳

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3304 H01L3300

代理机构：

北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442

代理人：

马佑平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-15	公开	公开
2017-01-18	授权	授权
2014-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588368547 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2014103785511 申请日:20140804

共 50 条

[1]

LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

周孝维 .

中国专利 :CN112941490A ,2021-06-11

[2]

带量子阱垒层的LED外延片、生长方法及LED结构 [P].

林传强 .

中国专利 :CN104091870A ,2014-10-08

[3]

一种LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

季辉 ;

何鹏 .

中国专利 :CN109860344B ,2019-06-07

[4]

Mg扩散的LED外延片、生长方法及LED结构 [P].

林传强 .

中国专利 :CN104091872B ,2014-10-08

[5]

LED外延多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

苗振林 .

中国专利 :CN112599647A ,2021-04-02

[6]

提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN113036005A ,2021-06-25

[7]

提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN113036005B ,2024-06-18

[8]

LED外延片生长方法 [P].

徐平 ;

吴奇峰 .

中国专利 :CN109300854A ,2019-02-01

[9]

LED外延片生长方法 [P].

徐平 ;

吴奇峰 .

中国专利 :CN109378371A ,2019-02-22

[10]

Micro LED外延片的生长方法及Micro LED外延片 [P].

姚振 ;

从颖 ;

董彬忠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111081828A ,2020-04-28

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