外延片量子阱结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210491167.3

申请日：

2012-11-27

公开(公告)号：

CN103840044A

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

肖怀曙

申请人：

申请人地址：

518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

张大威

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584559807 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2012104911673 申请日:20121127
2016-10-26	授权	授权
2021-03-02	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/06 变更事项:专利权人变更前:比亚迪半导体有限公司变更后:比亚迪半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号变更后:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2014-06-04	公开	公开
2020-01-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/06 登记生效日:20200102 变更事项:专利权人变更前权利人:比亚迪股份有限公司变更后权利人:深圳比亚迪微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号变更后权利人:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2021-03-02	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/06 变更事项:专利权人变更前:深圳比亚迪微电子有限公司变更后:比亚迪半导体有限公司变更事项:地址变更前:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号变更后:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号

共 50 条

[1]

InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法 [P].

邢瑶 ;

赵德刚 ;

江德生 ;

刘宗顺 ;

陈平 ;

朱建军 .

中国专利 :CN109888069B ,2019-06-14

[2]

一种多量子阱结构、LED外延片及其制备方法 [P].

柳颜欣 ;

马旺 ;

王成新 .

中国专利 :CN110335923A ,2019-10-15

[3]

一种复合量子阱外延片 [P].

宁如光 .

中国专利 :CN108198919A ,2018-06-22

[4]

InGaN/(In)GaN量子阱结构的制造方法及LED外延片 [P].

彭莉媛 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

杨静 ;

朱建军 ;

刘宗顺 .

中国专利 :CN109461796A ,2019-03-12

[5]

量子阱发光层结构、生长方法及外延片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN114242861A ,2022-03-25

[6]

LED的量子阱结构、其制作方法及包括其的LED外延片 [P].

刘为刚 ;

曾莹 ;

徐迪 ;

苗振林 .

中国专利 :CN104064644B ,2014-09-24

[7]

基于GaN条纹模板的多色发光InGaN量子阱外延片的制备方法 [P].

方志来 ;

吴征远 .

中国专利 :CN109148651B ,2019-01-04

[8]

一种具有梯形能隙量子阱结构的LED外延片 [P].

徐龙猛 ;

孙芳建 ;

赵军华 .

中国专利 :CN117894893A ,2024-04-16

[9]

一种量子阱结构的制备方法和量子阱结构 [P].

叶炜浩 .

中国专利 :CN111384214B ,2020-07-07

[10]

复合量子阱结构高亮度GaN基蓝光LED外延片 [P].

刘明德 ;

王怀兵 ;

何清华 ;

邓纲 ;

熊建明 .

中国专利 :CN1461060A ,2003-12-10

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