一种量子阱结构的制备方法和量子阱结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811632413.6

申请日：

2018-12-28

公开(公告)号：

CN111384214B

公开(公告)日：

2020-07-07

发明(设计)人：

叶炜浩

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3328 H01L3330 H01S5343 H01S5347 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

张全文

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-23	授权	授权
2020-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20181228
2021-07-16	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更事项:申请人变更前:TCL集团股份有限公司变更后:TCL科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前:516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区变更后:516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2020-07-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种量子阱、多量子阱外延结构及其制备方法 [P].

杨玲芳 ;

单智发 ;

张永 ;

李洪雨 ;

郑韬 .

中国专利 :CN120389289A ,2025-07-29

[2]

量子阱结构的制造方法 [P].

秋田胜史 ;

住友隆道 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

上野昌纪 .

中国专利 :CN101626059A ,2010-01-13

[3]

量子阱结构量子点及其制备方法 [P].

程陆玲 ;

杨一行 .

中国专利 :CN109390436A ,2019-02-26

[4]

量子阱发光结构 [P].

杨静 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

刘宗顺 .

中国专利 :CN117477352A ,2024-01-30

[5]

一种量子阱结构 [P].

曹志芳 ;

赵霞焱 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN205790046U ,2016-12-07

[6]

半导体器件、制造量子阱结构的方法和包括这种量子阱结构的半导体器件 [P].

Y·波诺马雷 .

中国专利 :CN1816914B ,2006-08-09

[7]

外延片量子阱结构的制备方法 [P].

肖怀曙 .

中国专利 :CN103840044A ,2014-06-04

[8]

半导体量子阱结构及其制备方法 [P].

印新达 ;

张振峰 ;

齐林 .

中国专利 :CN118800847B ,2025-01-14

[9]

半导体量子阱结构及其制备方法 [P].

印新达 ;

张振峰 ;

齐林 .

中国专利 :CN118800847A ,2024-10-18

[10]

硅基混成多量子阱结构 [P].

顾溢 ;

孙夺 .

中国专利 :CN216488114U ,2022-05-10

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