量子阱结构量子点及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710657485.5

申请日：

2017-08-03

公开(公告)号：

CN109390436A

公开(公告)日：

2019-02-26

发明(设计)人：

程陆玲杨一行

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3328

代理机构：

深圳中一专利商标事务所 44237

代理人：

黄志云

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-18	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更事项:申请人变更前:TCL集团股份有限公司变更后:TCL科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前:516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区变更后:516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2020-09-25	授权	授权
2019-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20170803
2019-02-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种量子阱结构的制备方法和量子阱结构 [P].

叶炜浩 .

中国专利 :CN111384214B ,2020-07-07

[2]

基于量子阱结构量子点的白光QLED器件及制备方法 [P].

钱磊 ;

杨一行 ;

曹蔚然 ;

向超宇 ;

陈崧 .

中国专利 :CN106299146B ,2017-01-04

[3]

半导体量子阱结构及其制备方法 [P].

印新达 ;

张振峰 ;

齐林 .

中国专利 :CN118800847B ,2025-01-14

[4]

半导体量子阱结构及其制备方法 [P].

印新达 ;

张振峰 ;

齐林 .

中国专利 :CN118800847A ,2024-10-18

[5]

光子晶体量子阱结构及其制备方法 [P].

资剑 ;

乔峰 ;

张淳 ;

万钧 ;

胡新华 ;

韩得专 ;

李乙洲 ;

傅利民 ;

王昕 ;

许春 ;

吴颖灏 ;

高霞 ;

王国忠 .

中国专利 :CN1320828A ,2001-11-07

[6]

硅基混成多量子阱结构及其制备方法 [P].

顾溢 ;

孙夺 .

中国专利 :CN115602767A ,2023-01-13

[7]

硅基混成多量子阱结构及其制备方法 [P].

顾溢 ;

孙夺 .

中国专利 :CN115602767B ,2025-06-06

[8]

外延片量子阱结构的制备方法 [P].

肖怀曙 .

中国专利 :CN103840044A ,2014-06-04

[9]

量子阱结构的制造方法 [P].

秋田胜史 ;

住友隆道 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

上野昌纪 .

中国专利 :CN101626059A ,2010-01-13

[10]

一种量子阱结构及其制造方法 [P].

张毅文 ;

孔真真 ;

王桂磊 ;

刘靖雄 ;

任宇辉 ;

吴振华 .

中国专利 :CN115802870B ,2025-07-08

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