一种量子阱结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211682258.5

申请日：

2022-12-26

公开(公告)号：

CN115802870B

公开(公告)日：

2025-07-08

发明(设计)人：

张毅文孔真真王桂磊刘靖雄任宇辉吴振华

申请人：

中国科学院微电子研究所合肥国家实验室

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所

IPC主分类号：

H10N52/80

IPC分类号：

H10N52/00 H10N52/01 H10N60/80 H10N60/10 H10N60/01

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高雪

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种多量子阱结构及其制造方法 [P].

李淼 ;

潘尧波 ;

郝茂盛 .

中国专利 :CN102544278A ,2012-07-04

[2]

量子阱结构的制造方法 [P].

秋田胜史 ;

住友隆道 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

上野昌纪 .

中国专利 :CN101626059A ,2010-01-13

[3]

一种量子阱、多量子阱外延结构及其制备方法 [P].

杨玲芳 ;

单智发 ;

张永 ;

李洪雨 ;

郑韬 .

中国专利 :CN120389289A ,2025-07-29

[4]

一种量子阱结构 [P].

曹志芳 ;

赵霞焱 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN205790046U ,2016-12-07

[5]

一种量子阱结构的制备方法和量子阱结构 [P].

叶炜浩 .

中国专利 :CN111384214B ,2020-07-07

[6]

一种量子阱半导体及其制造方法 [P].

伍毅龙 ;

谭桂英 ;

王新建 .

中国专利 :CN103227253A ,2013-07-31

[7]

量子阱结构量子点及其制备方法 [P].

程陆玲 ;

杨一行 .

中国专利 :CN109390436A ,2019-02-26

[8]

一种InGaN基多量子阱结构及其制备方法 [P].

贾伟 ;

党随虎 ;

许并社 ;

李天保 ;

梁建 ;

董海亮 .

中国专利 :CN103746052A ,2014-04-23

[9]

半导体量子阱结构及其制备方法 [P].

印新达 ;

张振峰 ;

齐林 .

中国专利 :CN118800847B ,2025-01-14

[10]

半导体量子阱结构及其制备方法 [P].

印新达 ;

张振峰 ;

齐林 .

中国专利 :CN118800847A ,2024-10-18

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