一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710311489.8

申请日：

2017-05-05

公开(公告)号：

CN107425095A

公开(公告)日：

2017-12-01

发明(设计)人：

杨国锋汪金张秀梅谢峰钱维莹

申请人：

申请人地址：

214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3322 H01L3324 H01L3332

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-01	公开	公开
2019-08-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20171201
2017-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20170505

共 50 条

[1]

基于GaN条纹模板的多色发光InGaN量子阱外延片的制备方法 [P].

方志来 ;

吴征远 .

中国专利 :CN109148651B ,2019-01-04

[2]

InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法 [P].

邢瑶 ;

赵德刚 ;

江德生 ;

刘宗顺 ;

陈平 ;

朱建军 .

中国专利 :CN109888069B ,2019-06-14

[3]

一种InGaN/(In)GaN量子阱结构及提高量子阱发光均匀性的方法 [P].

赵德刚 ;

梁锋 ;

王泓江 .

中国专利 :CN111785817A ,2020-10-16

[4]

高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法 [P].

潘尧波 ;

郝茂盛 ;

张国义 ;

颜建锋 ;

周健华 .

中国专利 :CN101488550B ,2009-07-22

[5]

一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED [P].

潘尧波 ;

郝茂盛 ;

张国义 ;

周健华 ;

颜建锋 .

中国专利 :CN101488548A ,2009-07-22

[6]

InGaN/(In)GaN量子阱结构的制造方法及LED外延片 [P].

彭莉媛 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

杨静 ;

朱建军 ;

刘宗顺 .

中国专利 :CN109461796A ,2019-03-12

[7]

一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法 [P].

冀子武 ;

屈尚达 ;

李睿 ;

时凯居 ;

徐明升 ;

王成新 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN111916538A ,2020-11-10

[8]

一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法 [P].

冀子武 ;

屈尚达 ;

李睿 ;

时凯居 ;

徐明升 ;

王成新 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN111916538B ,2024-03-26

[9]

一种GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN108807618A ,2018-11-13

[10]

ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法 [P].

张荣 ;

智婷 ;

陶涛 ;

谢自力 ;

万图图 ;

叶展圻 ;

刘斌 ;

修向前 ;

李毅 ;

韩平 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN103094434B ,2013-05-08

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