一种GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810373151.X

申请日：

2018-04-24

公开(公告)号：

CN108807618A

公开(公告)日：

2018-11-13

发明(设计)人：

李国强

申请人：

申请人地址：

517000 广东省河源市高新技术开发区高新五路众拓光电

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

郭佳利;郭裕彬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20180424
2022-03-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/06 申请公布日:20181113
2018-11-13	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257A ,2022-07-08

[2]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257B ,2025-04-18

[3]

GaN基发光二极管 [P].

吴东海 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN201898145U ,2011-07-13

[4]

GaN基发光二极管的制备方法 [P].

黄亚军 ;

王莉 ;

樊中朝 ;

刘志强 ;

伊晓燕 .

中国专利 :CN103956415A ,2014-07-30

[5]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109768127A ,2019-05-17

[6]

一种高性能GaN基发光二极管结构及其制备方法 [P].

董海亮 ;

许并社 ;

贾伟 ;

贾志刚 ;

张爱琴 ;

屈凯 ;

李天保 ;

梁建 .

中国专利 :CN110034213A ,2019-07-19

[7]

一种高性能GaN基发光二极管结构及其制备方法 [P].

董海亮 ;

许并社 ;

贾伟 ;

贾志刚 ;

张爱琴 ;

屈凯 ;

李天保 ;

梁建 .

中国专利 :CN110034213B ,2024-01-23

[8]

GaN基发光二极管外延片及GaN基发光二极管 [P].

李鹏 ;

张翼 .

中国专利 :CN203659912U ,2014-06-18

[9]

一种GaN基发光二极管的外延结构及其制备方法 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114824005A ,2022-07-29

[10]

衬底及其制备方法、GaN基发光二极管 [P].

马欢 ;

董检阅 ;

吴志浩 ;

房玉川 ;

葛永晖 ;

蔡历武 .

中国专利 :CN118431369A ,2024-08-02

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