一种高性能GaN基发光二极管结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910235667.2

申请日：

2019-03-27

公开(公告)号：

CN110034213A

公开(公告)日：

2019-07-19

发明(设计)人：

董海亮许并社贾伟贾志刚张爱琴屈凯李天保梁建

申请人：

申请人地址：

030024 山西省太原市迎泽西大街79号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110

代理人：

任林芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20190327
2019-07-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高性能GaN基发光二极管结构及其制备方法 [P].

董海亮 ;

许并社 ;

贾伟 ;

贾志刚 ;

张爱琴 ;

屈凯 ;

李天保 ;

梁建 .

中国专利 :CN110034213B ,2024-01-23

[2]

一种高性能GaN基发光二极管结构 [P].

董海亮 ;

许并社 ;

贾伟 ;

贾志刚 ;

张爱琴 ;

屈凯 ;

李天保 ;

梁建 .

中国专利 :CN210110827U ,2020-02-21

[3]

GaN基发光二极管 [P].

吴东海 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN201898145U ,2011-07-13

[4]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257A ,2022-07-08

[5]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257B ,2025-04-18

[6]

GaN基LED外延结构及其制备方法和发光二极管 [P].

展望 ;

宋长伟 ;

刘康 ;

张雷城 ;

芦玲 .

中国专利 :CN114824012A ,2022-07-29

[7]

GaN基LED外延结构及其制备方法和发光二极管 [P].

展望 ;

宋长伟 ;

刘康 ;

张雷城 ;

芦玲 .

中国专利 :CN114824012B ,2024-06-21

[8]

一种GaN基发光二极管结构 [P].

阚钦 .

中国专利 :CN114864780A ,2022-08-05

[9]

一种GaN基发光二极管结构 [P].

阚钦 .

中国专利 :CN114784165A ,2022-07-22

[10]

一种GaN基发光二极管结构 [P].

阚钦 .

中国专利 :CN217507377U ,2022-09-27

← 1 2 3 4 5 →