GaN基发光二极管外延片及GaN基发光二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320860420.8

申请日：

2013-12-24

公开(公告)号：

CN203659912U

公开(公告)日：

2014-06-18

发明(设计)人：

李鹏张翼

申请人：

申请人地址：

528226 广东省佛山市南海区罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王宝筠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-18	授权	授权

共 50 条

[1]

GaN基发光二极管外延片 [P].

丁涛 ;

周飚 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN209561451U ,2019-10-29

[2]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257A ,2022-07-08

[3]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257B ,2025-04-18

[4]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109768127A ,2019-05-17

[5]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

曹阳 ;

乔楠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109920722A ,2019-06-21

[6]

GaN基发光二极管 [P].

吴东海 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN201898145U ,2011-07-13

[7]

GaN基发光二极管外延结构 [P].

卢国军 ;

游正璋 .

中国专利 :CN110635004A ,2019-12-31

[8]

GaN基发光二极管外延结构 [P].

游正璋 ;

卢国军 .

中国专利 :CN110635003A ,2019-12-31

[9]

GaN基发光二极管外延结构 [P].

游正璋 ;

马后永 .

中国专利 :CN110635006A ,2019-12-31

[10]

一种GaN基发光二极管外延片 [P].

芦玲 ;

张向飞 ;

钱仁海 ;

刘坚 .

中国专利 :CN203300685U ,2013-11-20

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