GaN基发光二极管外延结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910801971.9
申请日
2019-08-28
公开(公告)号
CN110635003A
公开(公告)日
2019-12-31
发明(设计)人
游正璋 卢国军
申请人
申请人地址
200135 上海市浦东新区泥城镇鸿音路1889号
IPC主分类号
H01L3306
IPC分类号
H01L3312 H01L3314 H01L3332
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
傅康
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
GaN基发光二极管外延结构 [P]. 
卢国军 ;
游正璋 .
中国专利 :CN110635004A ,2019-12-31
[2]
GaN基发光二极管外延结构 [P]. 
游正璋 ;
马后永 .
中国专利 :CN110635006A ,2019-12-31
[3]
GaN基发光二极管外延片 [P]. 
丁涛 ;
周飚 ;
胡加辉 ;
李鹏 .
中国专利 :CN209561451U ,2019-10-29
[4]
GaN基发光二极管外延片及GaN基发光二极管 [P]. 
李鹏 ;
张翼 .
中国专利 :CN203659912U ,2014-06-18
[5]
GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 [P]. 
游正璋 ;
卢国军 .
中国专利 :CN110581205A ,2019-12-17
[6]
GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 [P]. 
游正璋 ;
卢国军 .
中国专利 :CN110635005A ,2019-12-31
[7]
GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 [P]. 
卢国军 ;
游正璋 .
中国专利 :CN110581204A ,2019-12-17
[8]
GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 [P]. 
卢国军 ;
游正璋 .
中国专利 :CN110518100A ,2019-11-29
[9]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P]. 
张彩霞 ;
印从飞 ;
程金连 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN114725257A ,2022-07-08
[10]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P]. 
张彩霞 ;
印从飞 ;
程金连 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN114725257B ,2025-04-18