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GaN基发光二极管外延结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910801971.9
申请日
:
2019-08-28
公开(公告)号
:
CN110635003A
公开(公告)日
:
2019-12-31
发明(设计)人
:
游正璋
卢国军
申请人
:
申请人地址
:
200135 上海市浦东新区泥城镇鸿音路1889号
IPC主分类号
:
H01L3306
IPC分类号
:
H01L3312
H01L3314
H01L3332
代理机构
:
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
:
傅康
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-12-31
公开
公开
2021-12-31
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/06 申请公布日:20191231
2020-05-12
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20190828
共 50 条
[1]
GaN基发光二极管外延结构
[P].
卢国军
论文数:
0
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0
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0
卢国军
;
游正璋
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0
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0
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0
游正璋
.
中国专利
:CN110635004A
,2019-12-31
[2]
GaN基发光二极管外延结构
[P].
游正璋
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0
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0
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0
游正璋
;
马后永
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0
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0
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马后永
.
中国专利
:CN110635006A
,2019-12-31
[3]
GaN基发光二极管外延片
[P].
丁涛
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0
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丁涛
;
周飚
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周飚
;
胡加辉
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0
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胡加辉
;
李鹏
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0
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李鹏
.
中国专利
:CN209561451U
,2019-10-29
[4]
GaN基发光二极管外延片及GaN基发光二极管
[P].
李鹏
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0
李鹏
;
张翼
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0
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张翼
.
中国专利
:CN203659912U
,2014-06-18
[5]
GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
[P].
游正璋
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游正璋
;
卢国军
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卢国军
.
中国专利
:CN110581205A
,2019-12-17
[6]
GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
[P].
游正璋
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游正璋
;
卢国军
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卢国军
.
中国专利
:CN110635005A
,2019-12-31
[7]
GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
[P].
卢国军
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卢国军
;
游正璋
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游正璋
.
中国专利
:CN110581204A
,2019-12-17
[8]
GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
[P].
卢国军
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卢国军
;
游正璋
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游正璋
.
中国专利
:CN110518100A
,2019-11-29
[9]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
[P].
张彩霞
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张彩霞
;
印从飞
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印从飞
;
程金连
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程金连
;
胡加辉
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胡加辉
;
金从龙
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金从龙
.
中国专利
:CN114725257A
,2022-07-08
[10]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
[P].
张彩霞
论文数:
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
张彩霞
;
印从飞
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
印从飞
;
程金连
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
程金连
;
胡加辉
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
胡加辉
;
金从龙
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
金从龙
.
中国专利
:CN114725257B
,2025-04-18
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