一种异质结纳米结构材料制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410086264.3
申请日
2014-03-10
公开(公告)号
CN103887481A
公开(公告)日
2014-06-25
发明(设计)人
丁书江 许鑫
申请人
申请人地址
710049 陕西省西安市咸宁路28号
IPC主分类号
H01M436
IPC分类号
B82Y4000
代理机构
西安智大知识产权代理事务所 61215
代理人
弋才富
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种异质结结构纳米光催化材料的制备方法 [P]. 
丁书江 ;
许鑫 .
中国专利 :CN103230791B ,2013-08-07
[2]
异质结纳米复合材料及其制备方法和应用 [P]. 
冯辉 ;
孙宗祥 ;
王海萍 ;
何爱翠 ;
罗翠文 .
中国专利 :CN119406439B ,2025-07-11
[3]
异质结纳米复合材料及其制备方法和应用 [P]. 
冯辉 ;
孙宗祥 ;
王海萍 ;
何爱翠 ;
罗翠文 .
中国专利 :CN119406439A ,2025-02-11
[4]
Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的制备方法 [P]. 
郝国林 ;
马新瑞 ;
王凯祎 ;
高枫林 ;
郝玉龙 ;
郝世杰 ;
贺力员 ;
张世伟 .
中国专利 :CN117945666A ,2024-04-30
[5]
一种锑基微纳米异质结材料及其制备方法和应用 [P]. 
周静 ;
窦绮睿 ;
曹宇 ;
侯秉东 ;
陈翰博 ;
张鑫童 ;
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[6]
一种纳米结构钼酸钴电极材料的制备方法 [P]. 
徐俊 ;
王海清 ;
许清池 ;
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[7]
复合纳米异质结薄膜材料及复合异质结太阳电池制备方法 [P]. 
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[8]
纳米异质结构光催化剂及其制备方法 [P]. 
刘宏 ;
于欣 ;
张健 .
中国专利 :CN106607069A ,2017-05-03
[9]
一种紫外宽频纳米半导体异质结材料的制备方法 [P]. 
梅庆波 ;
高玉刚 .
中国专利 :CN106268743A ,2017-01-04
[10]
一种热电异质结纳米材料及其制备方法和应用 [P]. 
姬晓元 .
中国专利 :CN114668776A ,2022-06-28