Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410081326.5

申请日：

2024-01-19

公开(公告)号：

CN117945666A

公开(公告)日：

2024-04-30

发明(设计)人：

郝国林马新瑞王凯祎高枫林郝玉龙郝世杰贺力员张世伟

申请人：

湘潭大学

申请人地址：

411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号

IPC主分类号：

C03C17/22

IPC分类号：

C03C17/34 C01B32/194 C01B19/02 B82Y30/00 B82Y40/00

代理机构：

湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108

代理人：

冷玉萍

法律状态：

公开

国省代码：

湖南省湘潭市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-30	公开	公开
2024-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C03C 17/22申请日:20240119

共 50 条

[1]

一种转移范德瓦尔斯异质结的方法 [P].

王雷 ;

甘祺康 .

中国专利 :CN117810157A ,2024-04-02

[2]

一种转移范德瓦尔斯异质结的方法 [P].

王雷 ;

甘祺康 .

中国专利 :CN117810157B ,2024-06-21

[3]

一种范德瓦尔斯异质结纳米材料的结构性质预测方法 [P].

吴波 ;

白雪 ;

刘涟 ;

杨开焕 ;

刘扬 ;

赵艳 ;

刘俊超 ;

张隆昆 ;

何智汉 .

中国专利 :CN112447269B ,2021-03-05

[4]

一种基于范德瓦尔斯异质结的光电探测器及其制备方法 [P].

徐飞 ;

熊毅丰 ;

陈锦辉 .

中国专利 :CN110459548B ,2019-11-15

[5]

一种范德瓦尔斯异质结及其电荷单向转移的探测方法 [P].

韩秀秀 ;

邓建平 .

中国专利 :CN119653916A ,2025-03-18

[6]

一种范德瓦尔斯异质结型光电探测器及制备方法 [P].

王军 ;

蔡明 ;

史佳欣 ;

张云逵 ;

刘德幸 ;

牛青辰 .

中国专利 :CN109817808A ,2019-05-28

[7]

一种二维范德瓦尔斯异质结及其制备方法、应用 [P].

徐新龙 ;

李二康 ;

周译玄 ;

卢春辉 ;

葛燕青 .

中国专利 :CN118818863B ,2025-11-18

[8]

一种二维范德瓦尔斯异质结及其制备方法、应用 [P].

徐新龙 ;

李二康 ;

周译玄 ;

卢春辉 ;

葛燕青 .

中国专利 :CN118818863A ,2024-10-22

[9]

一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源 [P].

徐新龙 ;

姚泽瀚 ;

张隆辉 ;

黄媛媛 ;

朱礼鹏 ;

杜婉怡 .

中国专利 :CN110416862A ,2019-11-05

[10]

石墨烯/掺杂二维层状材料范德瓦尔斯异质结超导复合结构、超导器件及其制备方法 [P].

孙旭阳 .

中国专利 :CN110429174B ,2019-11-08

← 1 2 3 4 5 →