Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01138333.X

申请日：

2001-12-20

公开(公告)号：

CN1372334A

公开(公告)日：

2002-10-02

发明(设计)人：

于军王华王耘波周文利谢基凡

申请人：

申请人地址：

430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4124

IPC分类号：

代理机构：

华中科技大学专利中心

代理人：

方放

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-12-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-08-04	授权	授权
2002-10-02	公开	公开
2002-07-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-02-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101192316140 IPC(主分类):H01L 41/24 专利号:ZL01138333X 申请日:20011220 授权公告日:20040804 终止日期:20101220

共 50 条

[1]

一种Bi3.2Nd0.8Ti3O12铁电薄膜的制备方法 [P].

贺海燕 ;

曹丽云 ;

黄剑锋 ;

吴建鹏 ;

于慧阳 .

中国专利 :CN101654780A ,2010-02-24

[2]

一种掺杂型Bi4Ti3O12 薄膜及其制备方法 [P].

夏傲 ;

谈国强 .

中国专利 :CN103482691A ,2014-01-01

[3]

一种Bi3.2La0.8Ti3O12铁电薄膜的制备方法 [P].

贺海燕 ;

曹丽云 ;

黄剑锋 ;

吴建鹏 ;

于慧阳 .

中国专利 :CN101654779A ,2010-02-24

[4]

一种Bi4Ti3O12微米片的制备方法及产品 [P].

徐刚 ;

白惠文 ;

邓世琪 ;

沈鸽 ;

韩高荣 .

中国专利 :CN104211118A ,2014-12-17

[5]

一种Si衬底Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12自然超晶格铁电薄膜的制备方法 [P].

王华 ;

许积文 ;

周尚菊 ;

杨玲 ;

任明放 .

中国专利 :CN102180704A ,2011-09-14

[6]

一种Bi4Ti3O12单晶纳米棒的制备方法及产品 [P].

徐刚 ;

白惠文 ;

邓世琪 ;

沈鸽 ;

韩高荣 .

中国专利 :CN104211116A ,2014-12-17

[7]

一种溶剂热法制备Bi4-XLaXTi3O12铁电薄膜的方法 [P].

黄剑锋 ;

王博 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 .

中国专利 :CN101767937B ,2010-07-07

[8]

低温自组装Bi4-xYxTi3O12铁电薄膜的方法 [P].

刘洪成 .

中国专利 :CN101748489A ,2010-06-23

[9]

一种LaMnO3调控Bi4Ti3O12带隙的过渡金属氧化物铁电薄膜及其制备方法 [P].

曹先胜 ;

吉高峰 .

中国专利 :CN110527954B ,2019-12-03

[10]

一种微波溶剂热法制备Bi4-XLaXTi3O12铁电薄膜的方法 [P].

黄剑锋 ;

王博 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 .

中国专利 :CN101768781B ,2010-07-07

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