一种Si衬底Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12自然超晶格铁电薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110052767.5

申请日：

2011-03-04

公开(公告)号：

CN102180704A

公开(公告)日：

2011-09-14

发明(设计)人：

王华许积文周尚菊杨玲任明放

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市金鸡路1号

IPC主分类号：

C04B4150

IPC分类号：

代理机构：

桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112

代理人：

罗玉荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101127315340 IPC(主分类):C04B 41/50 专利申请号:2011100527675 申请日:20110304
2011-09-14	公开	公开
2013-06-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101608617087 IPC(主分类):C04B 41/50 专利申请号:2011100527675 申请公布日:20110914

共 50 条

[1]

Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备工艺 [P].

于军 ;

王华 ;

王耘波 ;

周文利 ;

谢基凡 .

中国专利 :CN1372334A ,2002-10-02

[2]

一种高介电常数的Bi4Ti3-xFexO12铁电薄膜的制备方法 [P].

夏傲 ;

谈国强 .

中国专利 :CN104743891A ,2015-07-01

[3]

一种Bi3.2La0.8Ti3O12铁电薄膜的制备方法 [P].

贺海燕 ;

曹丽云 ;

黄剑锋 ;

吴建鹏 ;

于慧阳 .

中国专利 :CN101654779A ,2010-02-24

[4]

一种Bi3.2Nd0.8Ti3O12铁电薄膜的制备方法 [P].

贺海燕 ;

曹丽云 ;

黄剑锋 ;

吴建鹏 ;

于慧阳 .

中国专利 :CN101654780A ,2010-02-24

[5]

低温自组装Bi4-xYxTi3O12铁电薄膜的方法 [P].

刘洪成 .

中国专利 :CN101748489A ,2010-06-23

[6]

一种溶剂热法制备Bi4-XLaXTi3O12铁电薄膜的方法 [P].

黄剑锋 ;

王博 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 .

中国专利 :CN101767937B ,2010-07-07

[7]

一种微波溶剂热法制备Bi4-XLaXTi3O12铁电薄膜的方法 [P].

黄剑锋 ;

王博 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 .

中国专利 :CN101768781B ,2010-07-07

[8]

一种LaMnO3调控Bi4Ti3O12带隙的过渡金属氧化物铁电薄膜及其制备方法 [P].

曹先胜 ;

吉高峰 .

中国专利 :CN110527954B ,2019-12-03

[9]

一种Bi9Ti3Fe5O27层状多铁外延薄膜及其制备方法 [P].

曹逊 ;

金平实 ;

孙光耀 .

中国专利 :CN108018525B ,2018-05-11

[10]

一种Bi1-xRExFe0.96Co0.02Mn0.02O3铁电薄膜及其制备方法 [P].

谈国强 ;

郑玉娟 ;

任慧君 ;

夏傲 .

中国专利 :CN104478229A ,2015-04-01

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