在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210231297.3

申请日：

2012-07-05

公开(公告)号：

CN103531456A

公开(公告)日：

2014-01-22

发明(设计)人：

曹子贵宁丹

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249

代理人：

张静洁;徐雯琼

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-22	公开	公开
2016-08-10	授权	授权
2014-05-14	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700854681 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012102312973 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140421
2014-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584375490 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012102312973 申请日:20120705

共 50 条

[1]

在浮栅上形成微细图案的方法 [P].

崔彰日 ;

邱何 .

中国专利 :CN100580908C ,2009-01-14

[2]

栅间氧化物层的形成方法 [P].

方文霞 ;

杨文广 ;

王飞飞 ;

姚文博 .

中国专利 :CN120500064A ,2025-08-15

[3]

在钎焊的制品上形成氧化物层的方法 [P].

M·R·贾沃罗夫斯基 ;

M·F·塔拉斯 .

中国专利 :CN102471915B ,2012-05-23

[4]

形成金属氧化物半导体器件的栅氧化物的方法 [P].

T·沃格尔桑 ;

W·海恩施 ;

J·福尔 .

中国专利 :CN1264164A ,2000-08-23

[5]

残余氧化物的消除方法 [P].

刘光洲 ;

付洪田 ;

孙明先 ;

王洪仁 .

中国专利 :CN102424464A ,2012-04-25

[6]

在整料制品上形成无机氧化物涂层的方法 [P].

L·克劳斯 ;

A·N·M·格林 ;

J·特纳 ;

S·沃伦 .

英国专利 :CN119730960A ,2025-03-28

[7]

在整料制品上形成无机氧化物涂层的方法 [P].

卡内沙林姆·阿鲁拉吉 ;

P·贝尔汉姆 ;

A·德布鲁因 ;

盖伊·理查德·钱德勒 ;

C·科里根 ;

D·马维尔 ;

J·特纳 .

英国专利 :CN117651609A ,2024-03-05

[8]

形成锥形氧化物的方法 [P].

V·帕塔萨拉蒂 ;

S·班纳吉 ;

W·B·格拉博斯基 .

中国专利 :CN104488084B ,2015-04-01

[9]

在衬底上形成掺杂的铪锆氧化物层的方法 [P].

A·莱昂哈特 ;

M·苏尔曼 ;

R·A·约翰 ;

汤福 ;

A·伊利贝里 ;

V·K·穆瑟里 ;

L·卢科塞 ;

V·沙尔玛 ;

J·A·西马达达西尔瓦 .

:CN119730718A ,2025-03-28

[10]

残余氧化物的消除装置 [P].

刘光洲 ;

付洪田 ;

孙明先 ;

王洪仁 .

中国专利 :CN202440358U ,2012-09-19

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