在浮栅上形成微细图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710043588.9

申请日：

2007-07-09

公开(公告)号：

CN100580908C

公开(公告)日：

2009-01-14

发明(设计)人：

崔彰日邱何

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L21768 H01L21308

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

楼仙英

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101260523788 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利号:ZL2007100435889 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111130
2009-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-06-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8247 申请日:20070709 授权公告日:20100113 终止日期:20190709
2010-01-13	授权	授权
2009-01-14	公开	公开

共 50 条

[1]

在衬底上形成图案的方法 [P].

李泰文 ;

杨拥平 .

中国专利 :CN111724816A ,2020-09-29

[2]

形成超微细图案的方法 [P].

金炯秀 .

中国专利 :CN1075245C ,1996-03-20

[3]

在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法 [P].

曹子贵 ;

宁丹 .

中国专利 :CN103531456A ,2014-01-22

[4]

在闪存器件中形成浮置栅电极的方法 [P].

金载宪 .

中国专利 :CN100431104C ,2007-01-31

[5]

浮栅层的形成方法 [P].

张怡 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN111341653B ,2020-06-26

[6]

闪存浮栅的形成方法 [P].

马开阳 ;

高毅 ;

左睿昊 ;

周婧涵 .

中国专利 :CN120166702A ,2025-06-17

[7]

在衬底形成图案的方法 [P].

尹辉 ;

张军和 ;

金则清 .

中国专利 :CN106297831A ,2017-01-04

[8]

EEPROM的浮栅制造方法及其制造的浮栅 [P].

陈广龙 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN102129976A ,2011-07-20

[9]

半浮栅结构的形成方法 [P].

刘少雄 ;

王正宇 ;

刘郑红 ;

钱凯 .

中国专利 :CN119400696B ,2025-09-30

[10]

一种形成浮栅的方法 [P].

张超然 ;

罗清威 ;

李赟 ;

周俊 .

中国专利 :CN108615678A ,2018-10-02

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