在衬底上形成图案的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201910213412.6
申请日
2019-03-20
公开(公告)号
CN111724816A
公开(公告)日
2020-09-29
发明(设计)人
李泰文 杨拥平
申请人
申请人地址
中国香港新界沙田香港科学园科技大道东六号新科中心
IPC主分类号
G11B5265
IPC分类号
G11B531 G11B584
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
郝传鑫
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
在衬底形成图案的方法 [P]. 
尹辉 ;
张军和 ;
金则清 .
中国专利 :CN106297831A ,2017-01-04
[2]
一种在衬底上制备图案的方法 [P]. 
曾凡初 ;
黄翀 .
中国专利 :CN108198752A ,2018-06-22
[3]
在衬底上制备多级台阶的方法 [P]. 
杨健 ;
司朝伟 ;
韩国威 ;
宁瑾 ;
赵永梅 ;
梁秀琴 ;
王晓东 ;
杨富华 .
中国专利 :CN104445051A ,2015-03-25
[4]
在浮栅上形成微细图案的方法 [P]. 
崔彰日 ;
邱何 .
中国专利 :CN100580908C ,2009-01-14
[5]
在衬底上形成多阶表面的蚀刻方法 [P]. 
尹辉 ;
杨拥平 .
中国专利 :CN101614955A ,2009-12-30
[6]
涉及在衬底材料上形成锗原子层的方法、设备和系统 [P]. 
F·H·法布勒盖特 ;
P·A·帕杜阿诺 ;
G·S·桑胡 ;
J·A·斯迈思三世 ;
M·N·洛克莱 .
中国专利 :CN111540667A ,2020-08-14
[7]
在衬底上沉积材料的方法 [P]. 
吹上纪明 ;
凯瑟琳娜·巴比彻 .
中国专利 :CN100490069C ,2006-11-22
[8]
一种在透光衬底上制备微纳米结构图案的方法 [P]. 
李若松 ;
黄翀 .
中国专利 :CN108091552B ,2018-05-29
[9]
图案形成方法和衬底蚀刻方法 [P]. 
李恩雨 ;
吴相录 ;
成正模 ;
宣钟宇 .
中国专利 :CN109659228A ,2019-04-19
[10]
在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 [P]. 
刘祥林 ;
焦春美 ;
于英仪 ;
赵凤瑗 .
中国专利 :CN1779910A ,2006-05-31