在衬底上沉积材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480030051.3

申请日：

2004-10-15

公开(公告)号：

CN100490069C

公开(公告)日：

2006-11-22

发明(设计)人：

吹上纪明凯瑟琳娜·巴比彻

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21033

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

王怡

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-22	公开	公开
2007-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-12-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101548544290 IPC(主分类):H01L 21/033 专利号:ZL2004800300513 申请日:20041015 授权公告日:20090520 终止日期:20121015
2009-05-20	授权	授权

共 50 条

[1]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

美国专利 :CN119615129A ,2025-03-14

[2]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

美国专利 :CN115613010B ,2024-11-12

[3]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

中国专利 :CN115613010A ,2023-01-17

[4]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

中国专利 :CN111094620B ,2020-05-01

[5]

在衬底上沉积微晶硅的方法 [P].

A.戈迪恩 ;

T.基尔珀 ;

B.雷赫 ;

S.席科 .

中国专利 :CN102257630A ,2011-11-23

[6]

在基板上沉积材料的方法 [P].

M.伦德尔 ;

R.格鲁亚 .

英国专利 :CN114930495B ,2025-11-04

[7]

在基板上沉积材料的方法 [P].

安科·赫尔密西 .

中国专利 :CN114008741A ,2022-02-01

[8]

在基板上沉积材料的方法 [P].

M.伦德尔 ;

R.格鲁亚 .

中国专利 :CN114930495A ,2022-08-19

[9]

在衬底上沉积多层材料层的方法及化学气相沉积设备 [P].

梁秉文 .

中国专利 :CN103074616A ,2013-05-01

[10]

用于在衬底上沉积材料层的方法以及相应形成的结构 [P].

J·安图内斯阿方索 ;

S·瓦拉斯 ;

P·查特拉因 ;

K·A·帕特尔 ;

F·达沃迪 .

:CN118610077A ,2024-09-06

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