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用于在衬底上沉积材料层的方法以及相应形成的结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410232842.3
申请日
:
2024-03-01
公开(公告)号
:
CN118610077A
公开(公告)日
:
2024-09-06
发明(设计)人
:
J·安图内斯阿方索
S·瓦拉斯
P·查特拉因
K·A·帕特尔
F·达沃迪
申请人
:
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址
:
荷兰阿尔梅勒
IPC主分类号
:
H01L21/033
IPC分类号
:
G03F7/004
G03F7/20
C23C16/455
C23C16/50
C23C16/52
H01L21/67
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
焦玉恒
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-09-06
公开
公开
共 50 条
[1]
原子层沉积方法及用于在衬底上沉积层的相关方法
[P].
J·L·温克勒
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
J·L·温克勒
.
:CN120830091A
,2025-10-24
[2]
在衬底上沉积材料的方法
[P].
吹上纪明
论文数:
0
引用数:
0
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0
吹上纪明
;
凯瑟琳娜·巴比彻
论文数:
0
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0
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0
凯瑟琳娜·巴比彻
.
中国专利
:CN100490069C
,2006-11-22
[3]
在衬底上形成焊料沉积的方法
[P].
S.兰普雷希特
论文数:
0
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0
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0
S.兰普雷希特
;
K-J.马特雅特
论文数:
0
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0
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K-J.马特雅特
;
I.埃沃特
论文数:
0
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I.埃沃特
;
S.肯尼
论文数:
0
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0
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0
S.肯尼
.
中国专利
:CN103026475A
,2013-04-03
[4]
在衬底上形成焊料合金沉积的方法
[P].
K-J.马特雅特
论文数:
0
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0
K-J.马特雅特
;
S.兰普雷希特
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0
S.兰普雷希特
;
I.埃沃特
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0
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0
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0
I.埃沃特
.
中国专利
:CN103026476A
,2013-04-03
[5]
用于在衬底上形成焊料沉积物的方法
[P].
英戈·埃韦特
论文数:
0
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英戈·埃韦特
;
斯文·兰普雷希特
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斯文·兰普雷希特
;
凯-延斯·马特亚
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凯-延斯·马特亚
;
托马斯·普利特
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托马斯·普利特
.
中国专利
:CN102187749A
,2011-09-14
[6]
在衬底上沉积层的溅射涂覆装置以及方法
[P].
詹姆士·斯科汉默
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詹姆士·斯科汉默
;
乌韦·霍夫曼
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乌韦·霍夫曼
;
卓斯·曼纽尔·迪格茨-加波
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0
卓斯·曼纽尔·迪格茨-加波
.
中国专利
:CN101368261A
,2009-02-18
[7]
在阶梯结构上沉积材料的方法
[P].
小岛健太郎
论文数:
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小岛健太郎
;
桑野健
论文数:
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桑野健
;
芝英一郎
论文数:
0
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0
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0
芝英一郎
.
中国专利
:CN114427085A
,2022-05-03
[8]
在硅衬底上沉积AlN以及GaN半导体过渡层结构
[P].
马丁·安德烈亚斯·奥尔松
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
艾普诺瓦泰克公司
艾普诺瓦泰克公司
马丁·安德烈亚斯·奥尔松
.
:CN120569510A
,2025-08-29
[9]
用于在衬底上形成掺杂高k层的方法
[P].
R·A·约翰
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
R·A·约翰
;
汤福
论文数:
0
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
汤福
;
E·J·希罗
论文数:
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
E·J·希罗
.
:CN121240467A
,2025-12-30
[10]
用于在基底上沉积材料层的装置
[P].
卡洛斯·古拉
论文数:
0
引用数:
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机构:
瑞士克拉斯特股份有限公司
瑞士克拉斯特股份有限公司
卡洛斯·古拉
;
拉斯洛·佩索
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机构:
瑞士克拉斯特股份有限公司
瑞士克拉斯特股份有限公司
拉斯洛·佩索
;
约翰·米歇尔
论文数:
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0
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0
机构:
瑞士克拉斯特股份有限公司
瑞士克拉斯特股份有限公司
约翰·米歇尔
.
:CN120548384A
,2025-08-26
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