用于在衬底上沉积材料层的方法以及相应形成的结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410232842.3
申请日
2024-03-01
公开(公告)号
CN118610077A
公开(公告)日
2024-09-06
发明(设计)人
J·安图内斯阿方索 S·瓦拉斯 P·查特拉因 K·A·帕特尔 F·达沃迪
申请人
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址
荷兰阿尔梅勒
IPC主分类号
H01L21/033
IPC分类号
G03F7/004 G03F7/20 C23C16/455 C23C16/50 C23C16/52 H01L21/67
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
焦玉恒
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
原子层沉积方法及用于在衬底上沉积层的相关方法 [P]. 
J·L·温克勒 .
:CN120830091A ,2025-10-24
[2]
在衬底上沉积材料的方法 [P]. 
吹上纪明 ;
凯瑟琳娜·巴比彻 .
中国专利 :CN100490069C ,2006-11-22
[3]
在衬底上形成焊料沉积的方法 [P]. 
S.兰普雷希特 ;
K-J.马特雅特 ;
I.埃沃特 ;
S.肯尼 .
中国专利 :CN103026475A ,2013-04-03
[4]
在衬底上形成焊料合金沉积的方法 [P]. 
K-J.马特雅特 ;
S.兰普雷希特 ;
I.埃沃特 .
中国专利 :CN103026476A ,2013-04-03
[5]
用于在衬底上形成焊料沉积物的方法 [P]. 
英戈·埃韦特 ;
斯文·兰普雷希特 ;
凯-延斯·马特亚 ;
托马斯·普利特 .
中国专利 :CN102187749A ,2011-09-14
[6]
在衬底上沉积层的溅射涂覆装置以及方法 [P]. 
詹姆士·斯科汉默 ;
乌韦·霍夫曼 ;
卓斯·曼纽尔·迪格茨-加波 .
中国专利 :CN101368261A ,2009-02-18
[7]
在阶梯结构上沉积材料的方法 [P]. 
小岛健太郎 ;
桑野健 ;
芝英一郎 .
中国专利 :CN114427085A ,2022-05-03
[8]
在硅衬底上沉积AlN以及GaN半导体过渡层结构 [P]. 
马丁·安德烈亚斯·奥尔松 .
:CN120569510A ,2025-08-29
[9]
用于在衬底上形成掺杂高k层的方法 [P]. 
R·A·约翰 ;
汤福 ;
E·J·希罗 .
:CN121240467A ,2025-12-30
[10]
用于在基底上沉积材料层的装置 [P]. 
卡洛斯·古拉 ;
拉斯洛·佩索 ;
约翰·米歇尔 .
:CN120548384A ,2025-08-26