原子层沉积方法及用于在衬底上沉积层的相关方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510488137.4

申请日：

2025-04-18

公开(公告)号：

CN120830091A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

J·L·温克勒

申请人：

ASMIP私人控股有限公司

申请人地址：

荷兰阿尔梅勒

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/52

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王冉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备 [P].

陈蓉 ;

叶容利 ;

曹坤 ;

单斌 ;

王威振 .

中国专利 :CN119121187A ,2024-12-13

[2]

原子层沉积方法和原子层沉积设备 [P].

古尔特基·S·桑赫 ;

特鲁格·特里·多恩 .

中国专利 :CN100346448C ,2005-10-26

[3]

原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法 [P].

陈蓉 ;

曹坤 ;

严谨 ;

单斌 ;

李易诚 ;

胡嘉成 .

中国专利 :CN115198252B ,2024-04-23

[4]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

刘良文 ;

闫晓晖 ;

拉海忠 .

中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11

[5]

原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P].

叶长福 ;

魏鼎 ;

吕佐文 .

中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26

[6]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

李名言 ;

吴孝哲 ;

蔡文立 .

中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31

[7]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31

[8]

一种粉末原子层沉积设备及粉末原子层沉积的方法 [P].

李灿 ;

谢慧晨 ;

朱剑 .

中国专利 :CN118186369A ,2024-06-14

[9]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116A ,2022-04-15

[10]

原子层沉积设备及原子层沉积喷淋装置 [P].

邵大立 ;

齐彪 ;

马敬忠 .

中国专利 :CN115404463A ,2022-11-29

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