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原子层沉积方法及原子层沉积装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311234619.4
申请日：
2023-09-22
公开(公告)号：
CN117265508B
公开(公告)日：
2025-09-26
发明(设计)人：
叶长福
魏鼎
吕佐文
申请人：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址：
362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
IPC主分类号：
C23C16/455
IPC分类号：
C23C16/52
C23C16/458
代理机构：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651
代理人：
汤金燕
法律状态：
授权
国省代码：
福建省
泉州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-09-26 | 授权 | 授权 |
| 2024-01-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20230922 |