原子层沉积装置及原子层沉积方法

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申请号
CN202011089730.5
申请日
2020-10-13
公开(公告)号
CN114351116A
公开(公告)日
2022-04-15
发明(设计)人
郭世根 项金娟 刘青
申请人
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
C23C16455
IPC分类号
代理机构
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人
何家鹏
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
郭世根 ;
项金娟 ;
刘青 .
中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31
[2]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
刘良文 ;
闫晓晖 ;
拉海忠 .
中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11
[3]
原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备 [P]. 
陈蓉 ;
叶容利 ;
曹坤 ;
单斌 ;
王威振 .
中国专利 :CN119121187A ,2024-12-13
[4]
原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P]. 
叶长福 ;
魏鼎 ;
吕佐文 .
中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26
[5]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
李名言 ;
吴孝哲 ;
蔡文立 .
中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31
[6]
原子层沉积方法和原子层沉积设备 [P]. 
古尔特基·S·桑赫 ;
特鲁格·特里·多恩 .
中国专利 :CN100346448C ,2005-10-26
[7]
原子层沉积装置及原子层沉积系统 [P]. 
曹生贤 .
中国专利 :CN106030848B ,2016-10-12
[8]
薄膜原子层沉积方法 [P]. 
田正豪 ;
李丹 ;
张渊明 ;
秦芳 .
中国专利 :CN120505605A ,2025-08-19
[9]
原子层沉积方法和原子层沉积装置 [P]. 
佐藤英儿 ;
坂本仁志 .
日本专利 :CN120153123A ,2025-06-13
[10]
原子层沉积装置和原子层沉积方法 [P]. 
龟田直人 ;
三浦敏德 ;
花仓满 .
中国专利 :CN114286875A ,2022-04-05