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原子层沉积装置及原子层沉积方法
被引:0
申请号
:
CN202011089730.5
申请日
:
2020-10-13
公开(公告)号
:
CN114351116A
公开(公告)日
:
2022-04-15
发明(设计)人
:
郭世根
项金娟
刘青
申请人
:
申请人地址
:
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
:
C23C16455
IPC分类号
:
代理机构
:
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人
:
何家鹏
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-04-15
公开
公开
2022-05-03
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20201013
共 50 条
[1]
原子层沉积装置及原子层沉积方法
[P].
郭世根
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
郭世根
;
项金娟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
项金娟
;
刘青
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
刘青
.
中国专利
:CN114351116B
,2024-12-31
[2]
原子层沉积装置及原子层沉积方法
[P].
刘良文
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
刘良文
;
闫晓晖
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
闫晓晖
;
拉海忠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
拉海忠
.
中国专利
:CN119800330A
,2025-04-11
[3]
原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
陈蓉
;
叶容利
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华中科技大学
华中科技大学
叶容利
;
论文数:
引用数:
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机构:
曹坤
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
单斌
;
王威振
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华中科技大学
华中科技大学
王威振
.
中国专利
:CN119121187A
,2024-12-13
[4]
原子层沉积方法及原子层沉积装置
[P].
叶长福
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
叶长福
;
魏鼎
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
魏鼎
;
吕佐文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
吕佐文
.
中国专利
:CN117265508B
,2025-09-26
[5]
原子层沉积装置及原子层沉积方法
[P].
李名言
论文数:
0
引用数:
0
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0
李名言
;
吴孝哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴孝哲
;
蔡文立
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
蔡文立
.
中国专利
:CN101333648A
,2008-12-31
[6]
原子层沉积方法和原子层沉积设备
[P].
古尔特基·S·桑赫
论文数:
0
引用数:
0
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0
古尔特基·S·桑赫
;
特鲁格·特里·多恩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
特鲁格·特里·多恩
.
中国专利
:CN100346448C
,2005-10-26
[7]
原子层沉积装置及原子层沉积系统
[P].
曹生贤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曹生贤
.
中国专利
:CN106030848B
,2016-10-12
[8]
薄膜原子层沉积方法
[P].
田正豪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京集成电路装备创新中心有限公司
北京集成电路装备创新中心有限公司
田正豪
;
李丹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京集成电路装备创新中心有限公司
北京集成电路装备创新中心有限公司
李丹
;
张渊明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京集成电路装备创新中心有限公司
北京集成电路装备创新中心有限公司
张渊明
;
秦芳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京集成电路装备创新中心有限公司
北京集成电路装备创新中心有限公司
秦芳
.
中国专利
:CN120505605A
,2025-08-19
[9]
原子层沉积方法和原子层沉积装置
[P].
佐藤英儿
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
新烯控股有限公司
新烯控股有限公司
佐藤英儿
;
坂本仁志
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
新烯控股有限公司
新烯控股有限公司
坂本仁志
.
日本专利
:CN120153123A
,2025-06-13
[10]
原子层沉积装置和原子层沉积方法
[P].
龟田直人
论文数:
0
引用数:
0
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0
龟田直人
;
三浦敏德
论文数:
0
引用数:
0
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0
三浦敏德
;
花仓满
论文数:
0
引用数:
0
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0
花仓满
.
中国专利
:CN114286875A
,2022-04-05
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