薄膜原子层沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510614895.6

申请日：

2025-05-13

公开(公告)号：

CN120505605A

公开(公告)日：

2025-08-19

发明(设计)人：

田正豪李丹张渊明秦芳

申请人：

北京集成电路装备创新中心有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区荣昌东街甲5号3号楼10层1001-1

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/30 C23C16/34 H01L21/02 H01L21/31 H10D64/01

代理机构：

北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726

代理人：

李也庚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-19	公开	公开
2025-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20250513

共 50 条

[1]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

刘良文 ;

闫晓晖 ;

拉海忠 .

中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11

[2]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31

[3]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116A ,2022-04-15

[4]

原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备 [P].

陈蓉 ;

叶容利 ;

曹坤 ;

单斌 ;

王威振 .

中国专利 :CN119121187A ,2024-12-13

[5]

原子层沉积方法和原子层沉积设备 [P].

古尔特基·S·桑赫 ;

特鲁格·特里·多恩 .

中国专利 :CN100346448C ,2005-10-26

[6]

原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P].

叶长福 ;

魏鼎 ;

吕佐文 .

中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26

[7]

原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法 [P].

陈蓉 ;

曹坤 ;

严谨 ;

单斌 ;

李易诚 ;

胡嘉成 .

中国专利 :CN115198252B ,2024-04-23

[8]

一种原子层沉积氮化钛薄膜方法及原子层沉积设备 [P].

明帅强 ;

戴昕童 ;

夏洋 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120649004A ,2025-09-16

[9]

原子层沉积方法 [P].

王海艳 .

中国专利 :CN120719279A ,2025-09-30

[10]

原子层沉积方法 [P].

P·J·卡斯特罗维洛 ;

C·巴谢瑞 ;

G·J·德尔德瑞茵 ;

G·S·桑德霍 .

中国专利 :CN100485084C ,2005-09-21

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