原子层沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511062525.2

申请日：

2025-07-30

公开(公告)号：

CN120719279A

公开(公告)日：

2025-09-30

发明(设计)人：

王海艳

申请人：

北京集成电路装备创新中心有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区荣昌东街甲5号3号楼10层1001-1

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

代理机构：

北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726

代理人：

陈亚英

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	公开	公开
2025-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20250730

共 50 条

[1]

原子层沉积方法 [P].

王帆帆 ;

陆磊 ;

韩子娟 ;

巫礼杰 ;

潘继生 ;

李倩 ;

王云萍 ;

尹建刚 .

中国专利 :CN120924940A ,2025-11-11

[2]

原子层沉积方法 [P].

P·J·卡斯特罗维洛 ;

C·巴谢瑞 ;

G·J·德尔德瑞茵 ;

G·S·桑德霍 .

中国专利 :CN100485084C ,2005-09-21

[3]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

刘良文 ;

闫晓晖 ;

拉海忠 .

中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11

[4]

原子层沉积方法和原子层沉积设备 [P].

古尔特基·S·桑赫 ;

特鲁格·特里·多恩 .

中国专利 :CN100346448C ,2005-10-26

[5]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31

[6]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116A ,2022-04-15

[7]

一种原子层沉积方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110565072A ,2019-12-13

[8]

原子层沉积装置 [P].

夏洋 .

中国专利 :CN108715999A ,2018-10-30

[9]

原子层沉积装置 [P].

夏洋 .

中国专利 :CN208649461U ,2019-03-26

[10]

原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备 [P].

陈蓉 ;

叶容利 ;

曹坤 ;

单斌 ;

王威振 .

中国专利 :CN119121187A ,2024-12-13

← 1 2 3 4 5 →