一种原子层沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810569904.4

申请日：

2018-06-05

公开(公告)号：

CN110565072A

公开(公告)日：

2019-12-13

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C16458 C23C1652

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20180605
2019-12-13	公开	公开

共 50 条

[1]

原子层沉积方法 [P].

王海艳 .

中国专利 :CN120719279A ,2025-09-30

[2]

一种原子层沉积设备 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208517526U ,2019-02-19

[3]

原子层沉积方法 [P].

王帆帆 ;

陆磊 ;

韩子娟 ;

巫礼杰 ;

潘继生 ;

李倩 ;

王云萍 ;

尹建刚 .

中国专利 :CN120924940A ,2025-11-11

[4]

原子层沉积方法 [P].

P·J·卡斯特罗维洛 ;

C·巴谢瑞 ;

G·J·德尔德瑞茵 ;

G·S·桑德霍 .

中国专利 :CN100485084C ,2005-09-21

[5]

原子层沉积设备 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN220846266U ,2024-04-26

[6]

一种原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

徐志斌 ;

马骏 ;

祝晓钊 ;

冯敏强 ;

廖良生 .

中国专利 :CN112176321A ,2021-01-05

[7]

一种原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

徐志斌 ;

马骏 ;

祝晓钊 ;

冯敏强 ;

廖良生 .

中国专利 :CN112176321B ,2025-01-14

[8]

一种原子层沉积设备及沉积方法 [P].

孟昭生 ;

吴荘荘 ;

季明华 .

中国专利 :CN114836731B ,2024-04-26

[9]

一种原子层沉积设备及沉积方法 [P].

韩子迦 ;

姜勇 .

中国专利 :CN121228203A ,2025-12-30

[10]

一种原子层沉积设备及沉积方法 [P].

孟昭生 ;

吴荘荘 ;

季明华 .

中国专利 :CN114836731A ,2022-08-02

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