一种原子层沉积装置及原子层沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011133173.2

申请日：

2020-10-21

公开(公告)号：

CN112176321B

公开(公告)日：

2025-01-14

发明(设计)人：

徐志斌马骏祝晓钊冯敏强廖良生

申请人：

江苏集萃有机光电技术研究所有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道1198号

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/458 C23C16/44

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

胡彬

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

徐志斌 ;

马骏 ;

祝晓钊 ;

冯敏强 ;

廖良生 .

中国专利 :CN112176321A ,2021-01-05

[2]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

刘良文 ;

闫晓晖 ;

拉海忠 .

中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11

[3]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31

[4]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116A ,2022-04-15

[5]

原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P].

叶长福 ;

魏鼎 ;

吕佐文 .

中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26

[6]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

李名言 ;

吴孝哲 ;

蔡文立 .

中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31

[7]

原子层沉积方法和原子层沉积设备 [P].

古尔特基·S·桑赫 ;

特鲁格·特里·多恩 .

中国专利 :CN100346448C ,2005-10-26

[8]

原子层沉积装置及原子层沉积系统 [P].

曹生贤 .

中国专利 :CN106030848B ,2016-10-12

[9]

原子层沉积方法和原子层沉积装置 [P].

佐藤英儿 ;

坂本仁志 .

日本专利 :CN120153123A ,2025-06-13

[10]

原子层沉积装置和原子层沉积方法 [P].

龟田直人 ;

三浦敏德 ;

花仓满 .

中国专利 :CN114286875A ,2022-04-05

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