原子层沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510884644.X

申请日：

2025-06-30

公开(公告)号：

CN120924940A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

王帆帆陆磊韩子娟巫礼杰潘继生李倩王云萍尹建刚

申请人：

深圳市大族半导体装备科技有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区福海街道和平社区重庆路12号大族激光智造中心4栋厂房401

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/52 C23C16/56

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20250630
2025-11-11	公开	公开

共 50 条

[1]

原子层沉积方法 [P].

王海艳 .

中国专利 :CN120719279A ,2025-09-30

[2]

原子层沉积方法 [P].

T·T·多恩 ;

G·T·布拉洛克 ;

G·S·桑胡 .

中国专利 :CN1739188A ,2006-02-22

[3]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

刘良文 ;

闫晓晖 ;

拉海忠 .

中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11

[4]

原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P].

叶长福 ;

魏鼎 ;

吕佐文 .

中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26

[5]

原子层沉积方法和原子层沉积设备 [P].

古尔特基·S·桑赫 ;

特鲁格·特里·多恩 .

中国专利 :CN100346448C ,2005-10-26

[6]

原子层沉积方法以及原子层沉积系统 [P].

邵大立 ;

史皓然 ;

齐彪 ;

李宇晗 ;

陆淋康 ;

刘子婵 ;

马敬忠 .

中国专利 :CN117265510B ,2024-02-27

[7]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

李名言 ;

吴孝哲 ;

蔡文立 .

中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31

[8]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31

[9]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116A ,2022-04-15

[10]

原子层沉积方法和原子层沉积装置 [P].

佐藤英儿 ;

坂本仁志 .

日本专利 :CN120153123A ,2025-06-13

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